با توجه به نقش اصلی گیت­های XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوک­های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب­کننده­ها، تمام جمع­کننده­ها، مقایسه­گرها و دیگر مدارها هستند، روش­های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد...

در مراحل مختلف طراحی مدارات دیجیتال به کمک ابزارهای سنتز، بررسی مشخصات زمانی مدار امری ضروری می باشد. روش متداول جهت بررسی مشخصات زمانی شبیه سازی می باشد. بررسی مشخصات زمانی با استفاده از شبیه سازی در دو مرحله پس از سنتز و پس از جانمایی مطرح می شود. شبیه سازی پس از سنتز در سطح rtl صورت گفته و شبیه سازی پس از جانمایی بسته به نوع جانمایی می تواند در سطح گیت یا ترانزیستور انجام شود. حجم زیاد توصیف...

در دهه¬های اخیر فناوری ساخت ابزاردقیق در ابعاد بسیار ریز رشد فزاینده¬ای پیدا کرده و استفاده از میکرو حسگرها در حوزه های فراوانی گسترش یافته است. ساخت حسگرها در مقیاس میکرونی در مقایسه با حسگرهای سنتی دارای قیمت کم، اندازه کوچک و مصرف کم می¬باشند. سیستم¬های میکرو¬الکترومکانیک تحولی نوین هستند که با قیمتی کم وسرعتی بالا با کمک فناوری ساخت مدارات مجتمع ساخته می¬شوند و به تراشه¬ حسابگر مدارات مجتمع...

معمولا آنتن‏های سیمی دارای عناصری نظیر، مدارات مجتمع، محدود‏کننده‏های ولتاژ، دیودها و ترانزیستورها می‏باشند که همگی دارای مشخصه غیر‏خطی جریان- ولتاژ هستند. اغلب، این عناصر غیرخطی برای خنثی‏سازی اثرات مخرب میدان‏های الکترومغناطیسی ناشی از پالس‏های الکترومغناطیسی صاعقه و یا پالس‏های الکترومغناطیسی هسته‏ای استفاده می‏شوند. بنابراین، آنالیز سیستم‏های الکترومغناطیسی مانند آنتن‏ها و پراکنده‏گرها شامل...

پیشرفت روز افزون استفاده از آشکارسازهای مادون قرمز، نیاز به اجرای طرحی صنعتی در این زمینه را موجب شده است. قابلیت های متعدد سیستم های مادون قرمز و کاربردهای آن ها در صنایع مختلف نظامی و پزشکی، استفاده کاربردی از آن ها را پیش از پیش توجیه می کند. طرح حاضر در راستای اجرایی کردن اهداف فوق انجام شده است. این طرح با استفاده از یک آشکارساز مادون قرمز fpa انجام شده است و در اجرای آن کلیه مدارات لازم ج...

در این مقاله یک اینورتر چندسطحی سه‌فاز جدید با منابع ولتاژ ورودی برابر پیشنهاد شده است. در ساختار اینورتر پیشنهادی چندسطحی در حالت کلی شش کلید قدرت یک‌طرفه وجود دارد و بقیه کلیدهای موجود دوطرفه ولتاژ و جریان می‌باشند. در ساختار این اینورتر دیود وجود ندارد. منابع DC موجود در ساختار پیشنهادی برای هر سه فاز مشترک می‌باشد. همچنین به دلیل نبود خازن الکترولیت در ساختار اینورتر پیشنهادی، کنترل این این...

در این مقاله روشی جدید برای جابجایی یک شیء ارائه می‌شود. این روش مبتنی بر استفاده از گریپری هوشمند جهت تشخیص سفتی جسم و سپس تنظیم قابل برنامه‌ریزی میزان نیروی اعمالی به جسم برای جابجایی آن است. اجزای اصلی این سیستم شامل چهار بخش سنسوری (سنسورهای اندازه‌گیری نیرو و جابجایی)، الکتریکی (مدارات الکتریکی، سیستم پردازش اطلاعات لمسی و کنترل نیروی گیره‌بندی)، مکانیکی (مکانیزم گریپر و سیستم محرکه) و نما...

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

در این مقاله یک تقویت‌کنندۀ کلاس-D به منظور راه‌اندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایۀ تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویت‌کننده ارائه شده علاوه بر تأمین توان و ولتاژ سطح بالا، به منظور جداسازی و کاهش اعوجاج از یک مبدل مستقیم-به-مستقیم جدای حلقه بسته بهره می‌...

ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...