نتایج جستجو برای: فرومغناطیسی

تعداد نتایج: 184  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1388

از میان اکسیدهای نوع پروسکیت، bifeo3 که به طور همزمان دارای خاصیت فروالکتریکی و آنتی فرومغناطیسی می باشد مورد توجه است و به عنوان کاندیدایی برای کاربردهای مگنتوالکتریک در دما اتاق مناسب می باشد. از طرف دیگر نانوذرات bifeo3 خواص بی نظیر الکتریکی، مغناطیس و نوری به دلیل اندازه کوچک و اثرات کوانتومی در مقایسه با نمونه های توده ای از خود نشان می دهند. تجزیه حرارتی کمپلکسهای ناجور هسته روشی نوید بخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

بررسی ساختارهای فبزیکی جدید در قالب فرمالیسم کوانتومی نسبیتی هم از لحاظ تئوری و هم از لحاظ تجربی و طراحی سیستم های جدید الکترونیکی بسیار حائز اهمیت می باشد. دو کاندیدای خوب برای ساختار های ماده ی چگال نسبیتی که در 6-7 سال اخیر به طور جدی مطرح شده اند، گرافن و عایق توپولوژیکی هستنددر این ساختارها بستگی الکترون ها به هسته بطور ذاتی توسط هامیلتونی دیراک دو بعدی با جرم موثر فرمیونی صفر توصیف می شون...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

تحقیق حاضر از دو بخش تشکیل شده است. در ابتدا به بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی نانوذرات اکسید روی پرداخته شده است و در بخش دوم اثر آلایش اکسیدهای خالص و آلاییده شده با کبالت در نظر گرفته شده است. سپس به بررسی اثر دما بر روی این نمونه ها پرداخته شده است که تغییر دما در حد دمای اتاق و بالاتر از آن بر روی این نمونه ها مورد بررسی قرار گرفته شده است. با مقایسه نمونه ها در دمای مختلف به این نتیجه رسید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1393

اخیراً ساختار الکترونیکی تغییر شکل یافته¬ی شبکه¬ی لانه زنبوری گرافین و بررسی نظری گرافین تحت کشش خیلی مورد توجه قرار گرفته است که به نتایج جالبی می¬انجامد که این نتایج می¬تواند برای بررسی پدیده¬های مربوط به سیستم¬هایی با ساختار گرافین به کار رود با اعمال کشش به صفحه گرافین حامل¬های بار در آن به صورت فرمیون¬های دیراک بدون جرم نامتقارن ظاهر می¬شوند این باعث تغییراتی در سرعت فرمی، تونل¬زنی کلین و ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده علوم 1388

نانوسیم های مغناطیسی به جهت کنترل میکروساختار و خواص مغناطیسی آن به واسطه تنظیم پارامترهای انباشت و پارامترهای دخیل در ساخت قالب از جایگاه خاصی برخوردارند. در این میان آرایه نانوسیم های کبالت به دلیل کاربردهای پتانسیلی فراوان در ثبت مغناطیسی با چگالی بالا، ساخت حسگرهای مغناطیسی و ... دسته ی مهمی از نانوساختارهای مغناطیسی را شامل می شوند. در متن حاضر نتایج فعالیت های انجام شده در ارتباط با ساخت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی 1393

در این کار نانوکامپوزیت هسته-پوسته پلیرودانین/مگنتیت با اندازه متوسط 15 نانومتر سنتز و در فرآیند حذف یونهای جیوه از محلول آبی به کار برده شده است. نانوذرات مگنتیت با روش رسوبی در دمای 70 درجه سانتیگراد و با استفاده از یونهای آهن (ii) و (iii) و محلول آمونیاک سنتز شدهاند. آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) نشان داد که مورفولوژی نانوذرات هسته-پوسته تقریباً کروی و همگن میباشد. آنالیز میکروسکوپ ان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده شیمی 1391

در این پروژه یک سری جدید از لیگاندهای آمینوبیس(فنولی) با استفاده از 2-(آمینومتیل)پیریدین و فنول های 2،4-استخلاف دار مختلف شامل، 2،4-دی-برموفنول (h2lampb)، 2-ترشیو-بوتیل-4-متیل فنول(h2lampbm)، 2-ترشیو-بوتیل-4-متوکسی فنول (h2lampome) و 2،4-دی-متیل فنول (h2lampme) سنتز و شناسایی شدند. علاوه بر این در سنتز کمپلکس ها از لیگاند h2lampc که با استفاده از 2،4-دی-کلروفنول سنتز شده است، نیز استفاده شده اس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1391

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

با استفاده از تئوری ساده موج اسپینی، مغناطش و پارامتر سختی موج اسپینی (b) در حضور جفت شدگی تبادلی بین لایه ای و میدان مغناطیسی کاتوره ای برای چندلایه ای fe(110)/ag(111) به دست آمده است. ساختارهای مغناطیسی فوق نازک کاربردهای فراوانی در نانوتکنولوژی به عنوان مثال اسپینترونیک دارند، که از آن جمله می توان به حسگرهای مغناطیسی، ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا، mram و غیره اشاره کرد. همچنین می توان...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید