برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

مقدمه: تراهرتز، تابشی غیر مخرب است و از این رو، در دو دهه ی اخیر، برای کاربردهای مختلفی نظیر تصویربرداری پزشکی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در اختیار داشتن مدلی دقیق از بافت، می تواند راه را برای پژوهش های این حوزه هموارتر سازد. در محدوده ی تراهرتز، آب جذب بالایی دارد و به دلیل بالا بودن مقدار آب در بافت های بدن، ساز و کار اصلی ایجاد کنتراست در تصویربرداری پزشکی تراهرتز، مبتنی بر تفاوت م...

در این پایان نامه لایه های نازک al:zno با استفاده از روش سل-ژل تولید شده و ثابت های اپتیکی این لایه ها بر اساس چگالی آلومینیوم و با استفاده از بیضی نگاری مورد مطالعه قرار گرفتند. دلیل انجام این کار، نبود اطلاعات کافی درباره ی تغییرات چگالی حامل ها در لایه های نازک al:zno با آلایش بالا می باشد. بر اساس نتایج بدست آمده، چگالی حامل های آزاد لایه های نازک، با افزایش تجمع آلومینیوم، افزایش یافت. کا...

هگزافریت های مغناطیسی سخت به علت مقاومت الکتریکی بالا، ناهمسانگردی مغناطیسی تک محوری بالا و مغناطش اشباع بالا، کاربردهای بسیار مهمی در صنعت دارند. در میان آن ها، هگزافریت استرانسیوم (srfe12o19)، دارای بهترین خواص مغناطیسی می-باشد. ما در این پایان نامه برای بهبود خواص ساختاری، مغناطیسی و دی الکتریکیsrfe12o19، به منظور کاربردهای گوناگون از قبیل محیط های ضبط مغناطیسی و تجهیزات میکروویو، آن را با ع...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

امروزه نانوساختار تیتانات باریم-استرانسیم به دلیل خواص فروالکتریک و ثابت دی الکتریک بالا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز نانو پودر های دی الکتریک تیتانات باریم استرانسیم به روش سل- ژل می باشد. بدین منظور دو ترکیب مختلف ba0.7sr0.3tio3 وba0.5sr0.5tio3 از تیتانات باریم استرانسیم با استفاده از مواد اولیه، استات باریم، استات استرانسیم، ایزوپروپوکسید تیتانیم، استیل ا...

استفاده از داده های رادار با روزنه مجازی بهترین و پرطرفدارترین روش بازیابی پارامترهای سطح خاک است. در این تحقیق سعی بر انتخاب بهترین مدل برای تخمین پارامترهای سطح خاک با استفاده از داده های آزمایشات رطوبت خاک03 در منطقه اوکلاهومای جنوبی است. با استفاده از مدل های بازپراکنشی اُه، دوبوآ و رابطه تجمعی در سه باند l، c و p ابتدا به مقایسه ضرایب بازپراکنشی حاصل از مدل و تصویر در پلاریزاسیون های افقی ا...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

با توجه به کاربرد وسیع شناساگر های مواد و همچنین با توجه به تفاوت خصوصیات دی الکتریک مواد، در این تحقیق به بررسی خصوصیات ثابت دی الکتریک و روشهای استاندارد اندازه گیری آن برای جامدات و مایعات و به صورت خاص گازها پرداختیم. در مورد جامدات و مایعات روشهای کاربردی زیادی وجود دارند که با دقت بسیار بالا ثابت دی الکتریک را اندازه گیری می کنند اما از آنجاکه گازهای مخلوط در هوا و بسیاری بخارات دیگر گازی...

در این مقاله، ابتدا گزارشی از مشخصات یک سیستم اندازه‌گیری طول عمر نابودی پوزیترون در مواد، که برای اولین بار در ایران با همکاری گروه فیزیک دانشگاه سیستان و بلوچستان و شرکت نوین طیف ساخته شده، ارائه می‌شود. در حال حاضر این سیستم قادر است با قدرت تفکیک زمانی بهتر از 350 پیکوثانیه طول عمر نابودی پوزیترون در موادی همچون سرامیک، شیشه و سایر مواد عایق با ضریب دی الکتریک متفاوت را اندازه‌گیری کند. در ...