نتایج جستجو برای: ساختار ابزار نیم رسانا

تعداد نتایج: 114902  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده علوم کامپیوتری و علوم نانو 1388

در این پروژه، ما قصد داریم خواص ترابرد الکتریکی یک سیم کوانتمی نیمه¬هادی متصل به دو الکترود فلزی نیم-بی¬نهایت ایده¬ال را در فرمول¬بندی کلدیش مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی بررسی کنیم. این فرمولبندی برای حالتی که در سیستم مورد نظر برهمکنش¬هایی مانند برهمکنش کولنی وجود داشته باشد به کار می¬رود. برای این کار، هامیلتونی سیستم را در مدل بستگی قوی نوشته و اثر برهم کنش کولنی و ولتاﮊ خارجی را برای الکترو...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - پژوهشکده فیزیک 1392

چکیده لایه¬های نازک بروموایندیوم فتالوسیانین با استفاده از روش لایه نشانی پرتو الکترونی بر روی زیرلایه پلی¬بروسیلیکت ساخته شد. نمودارهای چگالی جریان برحسب ولتاژ به منظور بررسی خواص الکتریکی dc مورد بررسی قرار گرفت. به این منظور قطعه ساندویچی cu/brinpc/cu با ضخامت¬های 50نانومتر برای الکترودهای مس و 95نانومتر برای بروموایندیوم فتالوسیانین ساخته شد. بررسی چگالی جریان برحسب ولتاژ در تاریکی و تحت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان قزوین - دانشکده علوم پایه 1392

به دلیل افزایش نیاز بشر به منابع انرژی پاک وکمبود سوخت¬های فسیلی یکی از منابع تجدید شونده انرژی در دهه آینده،انرژی خورشید است. که به کمک پدیده فوتوولتاییک می توانیم این نور را به یک خروجی قابل قبول تبدیل کنیم. تا به امروز سه نسل از سلول های خورشیدی ساخته شده اند، که با توجه به مزایا و معایب این سه نسل،ما در اینجا از نسل سوم سلول های خورشیدی،یعنی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1393

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - پژوهشگاه شیمی و مهندسی شیمی ایران - پژوهشکده شیمی سیلیکون و مواد دارویی 1392

هدف این پایان نامه، استفاده از پوشش¬های جدید برای نقاط کوانتومی cdse/cds/zns و کاربرد آن¬هاست. نقاط کوانتومی به عنوان نانوبلورهای نیمه¬هادی تعریف می¬شوند که به دلیل خواص منحصر به فرد نوری و ساختاری به عنوان حسگرهای نوری، کاربردهای گسترده¬ای در زمینه¬ی بیولوژیکی، درمان سرطان، بهبود بازدهی سلول¬های خورشیدی، افزایش وضوح صفحات نمایشگر و سنسورهای تشخیص یون دارند. امروزه نیاز به حسگرهایی با حساسیت با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

در سال‏های اخیر با توجه به پیشرفت‏های انجام گرفته در علم الکترونیک و استفاده از بلورهای نیمرسانا در کاربردهای مختلف از جمله پزشکی، صنعت، نظامی، ارتباطات و غیره، دانشمندان به این نتیجه رسیدند که محصورشدگی کوانتومی در ساختارهای غیرهمجنس با بعد کوچک، ویژگی‏های اساسی یک بلور نیمرسانا را به شدت بهبود می‏بخشد. از آنجایی که در نقاط‏کوانتومی، حامل‏ها در سه بعد محصور می‏شوند، بهبود ویژگی‏های الکترونی به...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1393

در این پایاننامه ابتدا در فصل اول توضیحاتی در مورد ساختار گرافن، کاربردهای آن، مزیت های فراوان آن نسبت به سایر مواد، و همچنین اشاره ای در مورد اصول و ادوات فتوولتائیک ارائه کرده ایم، در فصل دوم مبانی و روش های پژوهش را شرح داده و با معادلات حاکم بر فتوولتائیک آشنا شده ایم و همچنین مدل سازی های لازم برای انجام پروژه را مرور کرده ایم و در نهایت در فصل سوم ابتدا با استفاده از شبیه ساز سیلواکو، سلو...

پایان نامه :0 1381

در این پایان نامه سعی شده است برخی از خواص الکترونیکی ساختار ‏‎si/ge‎‏ به صورت نظری محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه گردد. تکنیک به کار رفته در این محاسبات استفاده از روش خودسازگار و نظریه تابعی چگالی در چارچوب شبه پتانسیلهای ابتدا به ساکن می باشد.

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1388

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1388

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید