اخیراً، نیم رساناهای کالکوژنید چهارتایی i2-ii-iv-vi4 به علت کاربرد بالقوه آنها به عنوان جاذب های سلول خورشیدی، فوتوکاتالیست برای تجزیه نوری آب، مواد ترموالکتریکی، جذب اپتیکی بالا ( > 104× 1)، و برای خواص مگنتو اپتیکی و مولتی فرویک در حضور mn ، مورد علاقه وسیعی قرار گرفته اند. ترکیبات چهارتایی i2-ii-iv-vi4 از طریق یک جانشینی کاتیونی عرضی در ترکیبات سه تایی i-iii-vi2 استخراج شده اند ، به این صورت ...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

هدف این رساله، بررسی اثرات غیرخطی روی تحول سامانه در حالت پایا و در حالت وابسته به زمان با استفاده از معادله اصلی می باشد. رفتار سامانه که شامل یک اتم سه ترازی محصور شده در یک کاواک اپتیکی تک مد، با یک آینه غیرخطی، می باشد در حالت پایا بررسی شده است. علیرغم اثرات غیرخطی، این سامانه در دو رژیم متفاوت کار می کند. در یک رژیم، سامانه خواص یک لیزر مرسوم را از خود نشان می دهد که با تئوری لیزر نیمه کل...

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

هدف از انجام این رساله ، بررسی رسانندگی حرارتی نانوتیوپ کربن از دیدگاه نظری و تجربی و شبیه سازیهای دینامیک ملکولی تعادلی و غیر تعادلی و عوامل موثر بر مقدار آن می باشد. همچنین محاسبه ی ضریب رسانندگی حرارتی بلور نانومتری آرگون جامد خالص با ساختار مکعبی مرکز پر(fcc) و همراه با نقص و ناخالصی کریپتون با استفاده از دینامیک مولکولی تعادلی و روش گرین- کابو انجام شده است. چگونگی تغییرات ضریب رسانندگی حر...

در این مقاله وابستگی خواص اپتیکی نانولوله های چند دیواره ای1 (mwnt) به غلظت ماده بررسی شده است .mwnt، در پلی پیرول به روش پلیمریزاسیون الکتروشیمیایی مونومرها در حضور مقادیر متفاوت mwnt با استفاده از سدیم دو دسیل بنزن سولفونات2 (sdbs) به عنوان سورفکتانت در دمای اتاق ساخته شده اند. ضریب شکست و ضریب جذب غیرخطی نمونه ها با به کارگیری لیزر پیوسته توان پایین با طول موج 532 نانومتر، با استفاده از روش ...

مطالعه خواص ترابردی در ساختارهای شامل فلز عادی (nm)، فرومغناطیس (f) و ابررسانا (sc) به دلیل کاربردهای ممکن آن ها در قطعات توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، به طور نظری با استفاده از معادله بوگولیوبوف د-جنس bdg ترابرد اسپینی در ساختارهای فلز عادی/نیمرسانای فرومغناطیس/ابررسانا (nm/fs/sc) و فلز عادی/عایق فرومغناطیس/فلز عادی/ابررسانا (nm1/fi/nm2/sc) را بررسی کردیم. آثار انرژی فر...

در دهه های اخیر خواص مختلف فیزیکی مواد در مقیاس نانو مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. علت این امر خصوصیات ویژه ای است که در نانو ساختار ها وجود دارد. یکی از انواع نانو ساختار ها، نانو سیم های فوق نازک یا همان نانو زنجیر ها هستند. نانو زنجیر ها همواره خواصی غیر قابل پیش بینی از خود نشان می دهند به طوری که حتی در برخی موارد نانو زنجیر های عناصر نارسانا خاصیت رسانندگی بیشتری از نانو زنجیر های ف...

این تحقیق با هدف بررسی خواص فونونی و گرمایی نانو ساختارها از جمله طیف بسامد فونونی، چگالی حالت های فونونی، ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی انجام شده است. روشی که به کار برده می شود، روش ماتریس انتقال است. محاسبات در تقریب هماهنگ و با در نظر گرفتن اثر همسایه ی نزدیک انجام شده است. مطلب ابتدا با نانو ساختارهای یک بعدی آغاز شده، خواص فونونی و گرمایی زنجیره های اتمی در شرایط مختلف مورد بررسی قرا...