امروزه فوتودیودهای با ساختار فلز-نیمه¬هادی-فلز (msm)، پیوندهای ناهمگن p-n و پیوندهای شاتکی بطور قابل ملاحظه ای برای کاربردهایی از قبیل: هشدار حریق، تشخیص آلودگی، تصفیه آب، تجهیزات پزشکی و ارتباطات مورد توجه قرار گرفته اند. فوتودیود پیوندی p-n متشکل از پیوند نیمه هادی با آلایش n- و p- بصورتی ساخته و کپسوله می شود که اجازه دهد نور تا نزدیکی پیوند متالوژیکی نفوذ کند. فوتودیودهای پیوند p-n و p-i-n ...

مقاله ای که در پیش رو دارید، ترجمه مقاله ای ازسال 2009 lasers in medical sciences است که در نشریه therapy in dermatology: a reviewبرای پیشگیری و درمان سرطان های پوستی غیر ملانومی بکار می روددر درمان ضایعات غیر بدخیم نظیر آکنه ولگاریس و لیشمانیازیس و به همان میزان در درمان پیری زودرس پوست ناشیاز قرار گرفتن در معرض خورشید در حال افزایش استنور بکار گرفته شده و همچنین غلظت و تجمع موضعی ترکیب حساسگر...

در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

در این مقاله یک حسگر لیزری حساس با اندازه فیزیکی کوچک برای ردیابی مولکول های آلاینده در خروجی حاصل از یک احتراق صنعتی ساخته و به کار گرفته شده است. دستگاه یاد شده به تار نوری مجهز شده و چشمه لیزری آن یک دیود لیزر dfb است که در ناحیه طیف فروسرخ نزدیک تابش می کند. توانایی حسگری این دستگاه را با ردیابی گازهای مونواکسید کربن و متان در دودکش خروجی ناحیه نورد گرم مجتمع فولاد مبارکه که در دمای 600 درج...

در این پایان نامه، سه ساختار جدید برای مبدل افزاینده-کاهنده z-h پیشنهاد می شود. در ساختار پیشنهادی اول از آرایش سلف کلیدزنی شده در مبدل z-h استفاده می شود. استفاده از سلف کلیدزنی شده منجر به افزایش بهره ی افزایندگی می شود. ساختار دوم مربوط به تعمیم یافته ی ساختار پیشنهادی اول می باشد. بنابراین بسیاری از ویژگی های ذکر شده برای ساختار پیشنهادی اول برای تعمیم یافته ی آن نیز صادق می باشد. در ادامه ...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

در این پایان نامه به بررسی اثرات ساختاری بر روی دیود های نور گسیل مواد ganمی پردازیم که ساختار آنها به صورت توالی algan/gan/algan می باشد. هدف ما این است که به تاثیراتی که ساختار دیود نور گسیل روی نرخ گسیل خودبخودی دارد پی ببریم. زیرا افزایش نرخ گسیل به ما گمگ خواهد کرد که ledهایی با بهره نوری بالا داشته باشیم. پس در ابتدا به بررسی نیم رسانا ها و اتصالات نامتجانس پرداخته و سپس در مورد چاههای کو...

امروزه دیود های شاتکی وابسته به ساختار های فلز- نیمرسانا (ms) و فلز– عایق- نیمرسانا (mis) کاربرد های بسیار گسترده ای در قطعات الکترونیکی و اپتو الکترونیک پیدا کرده اند. ما در این تحقیق تجربی مبادرت به ساخت سه نمونه دیود شاتکی با ساختار های al/p-si ، cu/p-si و /p-si سیلیکون متخلخلal/ نموده ایم. بستگی دمایی مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) آنها در شرایط بایاس مستقیم در محدوده دمایی 300- k 368 انداز...

در این پژوهش، با استفاده از روش ارزان قیمت سل-ژل، اکسیدروی نوع مثبت تهیه شد و سپس بر پایه آن، با استفاده از نیم رسانای سیلیسیوم نوع منفی، اقدام به ساخت دیود نوری پیوندی مثبت-منفی نمودیم. بطور کلی اکسیدروی نیم رسانایی با گاف انرژی بزرگ 3/37 ev بوده و به واسطه فراوانی و قیمت ارزانی که داراست گزینه مناسب و پرکاربردی جهت ابزار الکترواپتیکی بشمار می رود، اما ناپایدار بودن نوع مثبت این نیم رسانا سد ب...