نتایج جستجو برای: جفت شدگی جانبی

تعداد نتایج: 21710  

با خطی سازی و همچنین استفاده از قضیه فلوکه به طور همزمان معادلات ماکسول، معادلات پیوستگی و اندازه حرکت، برای یک لیزر الکترون آزاد دوجریانی با پمپ ویگلر پیچشی حل شده اند. سپس رابطه پاشندگی که جفت شدگی همه مدها را نشان می دهد از روش سیالی بدست آمده است. با حل عددی فرمول پاشندگی محدوده باند فرکانس هایی که تشدید لیزر الکترون آزاد و لیزر الکترون آزاد دوجریانی در آنها رخ می دهد، مشخص می شود. در این م...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1393

در این پایان نامه، به اثر ناشی از چرخش بار فضایی با توزیع کاپچینسکی-ولادیمیرسکی در چهارقطبی مورد بررسی قرار می¬گیرد. تابع توزیع kv را به علت دارا بودن شرایط مناسب، برای دسته پرتو بیضوی عبوری از چهارقطبی انتخاب می¬شود. چگالی ذرات توزیع یافته در بیضی دوران داده شده دارای یک جمله جفت شده می¬باشد. از معادله پواسون، پتانسیل داخلی پرتو را برای یک توزیع ذرات بصورت ضرایبی از محورهای x,y و ضریبی در جمله...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده معدن 1393

روش (sip) به عنوان یک روش ژئوفیزیکی نقش بسیار مهمی در اکتشافات زیرسطحی از جمله اکتشافات باستان شناسی، هیدروژئوفیزیک، مسائل زیست محیطی و ... دارد؛ با این وجود کاربرد این روش با محدودیت های جدی به دلیل اثر جفت شدگی الکترومغناطیس روبرو شده است. این اثر به دلیل القای جریان الکتریکی متناوب از طریق کابل جریان متصل به زمین رسانای الکتریکی است. این اثر القائی باعث تغییر پتانسیل الکتریکی ثبت شده بین دو ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه 1392

این پایان¬نامه محاسبات تئوری سطح مقطع تولید کوارک تاپ منفرد را در مرتبه اول از طریق فرایندهای کانال t ، کانال s ، و تولید وابسته wt ارائه می¬دهد. فرایند تولید کوارک تاپ منفرد مهم است زیرا این امکان را فراهم می¬کند تا بطور مستقیم جفت شدگی جریان بار v_tb و ثابت جفت شدگی ?_s اندازه¬گیری شوند. اندازه¬گیری سطح مقطع تولید کوارک تاپ منفرد در کانال t توسط آشکارساز اطلس در lhc ارائه شده است، این اندازه¬...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق 1392

در این پایان نامه از روش های کاهش تزویج مانند ساختار باند ممنوعه، سطوح انتخابگر فرکانس، ساختارهای پچ های مقعر شده، حلقه های رزونانسی شکاف دار و فرکتالها طراحی های جدید ارائه شده است و از میان این روش ها، ساختارهای فرکتال برای اولین بار برای کاهش تزویج عنوان شده اند. روش های دیگری برای معرفی نیز ارائه شده است. و در نهایت با طراحی های ارائه شده به یک جمع بندی و مقایسه از نظر پهنای باند، بهره و سه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1392

در این پروژه به بررسی گرانش در 1+2 بعد می پردازیم. مسئله ی گرانش1+2 بعدی ازآن نظر برای ما مهم است که به دلیل درجه آزادی کمتر، پیچیدگی محاسباتی گرانش1+3 بعدی را ندارد. گرانش در1+2 بعد را با معرّفی فضای پاد دوسیته آغاز می کنیم. فضای پاددوسیته حلّ معادله ی انیشتین با ثابت کیهان شناسی منفی است. با همانسازی یک مختصّه از متریک فضای پاد دوسیته سیاه چاله یbtz از این فضا به دست می آید. سیاه چاله ی1+2 بعدی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1388

در این رساله دو نظریه ورای مدل استاندارد که شامل کوارک برداری و کوارک نسل چهارم می شوند، به وسیله واپاشی های مزون b که در آینده نزدیک مشاهده خواهند شد، مورد مطالعه قرار می گیرد. بدین ترتیب امکان تحقیق در درستی هر یک از این نظریه ها به زودی میسر خواهد شد. برای این منظور ابتدا اثر کوارک برداری را در محدوده مجاز پارامترهای آن، بر روی واپاشی های هادرونی مورد بررسی قرار می دهیم. این واپاشی ها تمام گ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1389

در این مطالعه سعی داریم که از امکانات lhc به منظور بررسی راس tbw استفاده کنیم، و این بررسی را برای کوارک تاپ منفردی که از طریق کانال– t تولید می شود، انجام می دهیم. بررسی در حد مولد انجام می شود و همچنان شامل جدایی سیگنال از زمینه ها خواهد بود، اگر بوزون w به لپتون ها واپاشی کند. همچنان در این مطالعهcp پایسته فرض می شود و با استفاده از توزیع زاویه ای لپتون باردار از بوزون w در واپاشی تاپ ، ما ق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

با استفاده از تئوری ساده موج اسپینی، مغناطش و پارامتر سختی موج اسپینی (b) در حضور جفت شدگی تبادلی بین لایه ای و میدان مغناطیسی کاتوره ای برای چندلایه ای fe(110)/ag(111) به دست آمده است. ساختارهای مغناطیسی فوق نازک کاربردهای فراوانی در نانوتکنولوژی به عنوان مثال اسپینترونیک دارند، که از آن جمله می توان به حسگرهای مغناطیسی، ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا، mram و غیره اشاره کرد. همچنین می توان...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید