با توجه به گسترش ابزارهای بی سیم همچون گوشی های موبایل، دستگاه های موقعیت سنج، استفاده لپ تاپ در کاربردهای بی سیم و غیره، لزوم استفاده از آنتن هایی که بتوانند باندهای استاندارد مختلفی را پوشش دهند، بیش از پیش احساس می شود. استفاده از آنتن هایی با قابلیت پوشش دو یا تعداد بیشتری باند فرکانسی، به دلیل عدم استفاده از چند آنتن مجزا سبب کاهش هزینه ها می گردد. از سوی دیگر، استفاده از آنتن هایی که برای...

توده گرانیتوییدی زاهدان(با وسعت 750) با روند کلی NW-SE  در بخش میانی نوار گرانیتوییدی زاهدان ـ سراوان واقع است. این توده، سنگهایی با ترکیب گرانیت، گرانودیوریت و دیوریت را در بر ‌دارد و همچنین توسط تعداد زیادی دایک با ترکیب آندزیتی ­-  داسیتی قطع شده‌است. سنگهای دگرگونی ناحیه‌ای با سن ائوسن میانی، توسط این توده قطع شده‌اند. در این تحقیق، ساز وکار جایگزینی بخش شمالی توده زاهدان در پرتو روش ناهمسا...

چکیده ندارد.

معمولاً سرمایش مغناطیسی براساس تغییر آنتروپی، به‌وسیله‌ی اثر یک میدان مغناطیسی بر یک ماده‌ی پارامغناطیسی یا مغناطیسی تولید می‌شود. در این نوشتار یک مدل فیزیکی برای بستری از یک سیستم سرمایش مغناطیسی فعال ارائه شده است. بستر مورد اشاره جامدی متخلخل است که سیال انتقال حرارت درون آن جاری است و برای ساده‌سازی، دو محیط جامد و سیال به‌صورت دو لایه‌ی مجزای هم‌جوار مدل‌سازی شده‌اند؛ معادلات حاکم نیز به‌ص...

نانولوله های بورن نیتراد از جمله موادی هستند که در یک دهه ی اخیر به علت داشتن ویژگی های منحصر بفرد، بسیار مورد توجه فیزیکدانان قرار گرفته اند. در این رساله به کمک روش بستگی قوی ویژه مقادیر انرژی نانولوله های بورن نیتراد در دو حالت قطبش نور موازی و عمودی در غیاب میدان مغناطیسی خارجی و همچنین در حضور میدان مغناطیسی را به دست آورده ایم. از نتایج بدست آمده و نمودارهای رسم شده به کمک نرم افزار mathe...

در این پژوهش تحول زمانی یک حالت W را تحت تأثیر چهار هامیلتونی هایزنبرگی مدل XX،Ising ، XXZ و XXX به صورت تحلیلی محاسبه کرده و نقش اندرکنش DM و همچنین میدان مغناطیسی را نیز بر دینامیک درهم‌تنیدگی بین کیوبیت‌های ابتدائی و انتهائی بررسی خواهیم کرد. ملاحظه می‌شود که در هر چهار هامیلتونی، اعمال میدان مغناطیسی بر کل زنجیره بر درهم‌تنیدگی بی تأثیر است، اما اعمال میدان بر تک کیوبیت‌ها، بردرهم‌تنیدگی تأ...

سازوکار میخکوبش و انرژی فعال سازی در ابررسانای mgb2 الاییده به 10 درصد وزنی مالیک اسید، کلوخه سازی شده در دمای 800 ºc، با استفاده از اندازه گیری مقاومت الکتریکی و چگالی جریان به صورت تابعی از میدان مغناطیسی و دما مورد مطالعه قرار گرفته است. وابستگی میدانی چگالی جریان بحرانی jc براساس مدل میخکوبش جمعی گردشاره ها بررسی شده است. یک میدان متقاطع، bsb، عبور از ناحیه میخکوبش تک گردشاره ای به ناحیه می...

بستگی دمائی ضرائب ترابری در فلزات ساده عمدتا ناشی از اثر پراکندگی همگن الکترون-فونون و الکترون ناخالصی می باشد در فلزات مرکب با اتمهای مغناطیسی مثل بلور upd2si2 الکترون ها بطور ناهمگن نیز توسط اتمهای مغناطیس پراکنده می گردند که این باعث رفتار غیرعادی در وابستگی دمائی ضرائب ترابری در این اجسام می گردد. یکی از مکانیسم هائی که در توجیه این رفتارها موفق بوده مکانیسم پراکندگی اریبی می باشد. در این ر...