تقویت کننده های توزیع شده دارای بهره مسطح و تطبیق امپدانس خوب ورودی و خروجی در یک پهنای باند فرکانسی وسیع هستند. این تقویت کننده ها توانایی انتقال داده را در طیف وسیعی از باند فرکانسی با میزان بالای اطلاعات را دارا می باشند. در این پایان نامه ابتدا یک تقویت کننده تفاضلی cmos توزیع شده که ترکیبی از توپولوژیهای cascode و cascade می باشد برای کاربردهای uwb در تکنولوژی 0.13µm cmos ارائه شده است. م...

چکیده ندارد.

ترکیبات میکرومشددهای حلقه‎ای با جفت‎شدگی‎های متفاوت می‎توانند به عنوان اجزای پایه‎ای در مدارهای مجتمع نوری بکار گرفته شوند. قابلیت میکرومشددهای حلقه‎ای در انباشتگی نور، منجر به ایجاد اثرات غیرخطی حتی در شدت‎های ورودی پایین شده و این ابزارهای نوری را برای مقاصد مختلفی از جمله تقویت رامان مناسب می‎سازد. ترکیبی که در این پایان‎نامه مورد بررسی قرار گرفته scissor دوکاناله است. وجود دو موجبر مستقیم د...

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در گستره ی فرکانسی 4 تا 12 گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی سی ماسmµ 18/0طراحی و در نرم افزار ads شده است. تقویت کننده ی ارائه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی می کند، تا مصرف توان حداقل شود. هم چنین اثر چگالی جریان بر روی نویز و فرکانس قطع ترانزیستور بررسی شده است و سعی شده تا چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویت کننده کم نویز انتخاب شود. چند روش...

تقویت کننده های باند پهن عناصر بسیار مهمی می باشند که در جنگ الکترونیک ، ارتباطات با سرعت زیاد و سیستم های اندازه گیری پهن باند کاربرد زیادی دارند. اولین مثال برای مدارات گسترده به سال 1937 میلادی و مداری که ویلیلم اس. پریسیوال ارائه داد ، بازمیگردد . در آن زمان پریسیوال یک طرح با استفاده از ترنس کانداکتانس یک طبقه لامپ های خلاء ارائه کرد. بنابراین به مداری رسید که می توانست به محصول بهره - پهن...

در تقویت کننده های توزیع شده جذب خازنهای پارازیتی سلول های بهره توسط خطوط انتقال موجب افزایش پهنای باند تقویت کننده های توزیع شده گردیده است، بنابراین تقویت کننده های توزیع شده یکی از بهترین روشهای شناخته شده برای افزایش پهنای باند می باشند و از آنجا که در ارتباطات بیسیم پهن باند به تقویت سیگنال در محدوده فرکانسیghz 3.1 تا ghz 10.6 نیاز می باشد. بنابراین تقویت کننده توزیع شده با توجه به پهنای ب...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها ...

در بسیاری از سیستم های اندازه گیری دقیق به کمک کالیبراسیون خودکار اثرات غیر ایده‏‏ آل بهره و آفست حذف می گردد ولی کاربردهایی نیز وجود دارد که سیگنال مرجع خیلی بزرگتر از سیگنال خروجی حسگر می باشد. در چنین مواردی سیگنال خروجی حسگر توسط تقویت کننده هایی تقویت شده و با سیگنال مرجع قابل مقایسه می گردد. تقویت کننده فوق خارج حلقه کالیبراسیون خودکار قرار می گیرد و هرگونه خطایی در بهره آن مستقیما ایجاد ...

در بیوآمپلی¬فایرها سیگنال بیولوژیکی دریافتی دامنه بسیار ضعیفی دارد و ولتاژ آفست ناشی از ورودی¬ها و همچنین ناشی از الکترودها به مراتب از دامنه بیوسیگنال بیشتر است. این ولتاژ آفست در مدار ایجاد مشکل می کند، اگر بهره طبقه اول تقویت کننده را بالا در نظر بگیریم این ولتاژ آفست سبب به اشباع رفتن تقویت کننده می-شود لذا نیاز داریم تا ولتاژ آفست را به نوعی حذف کنیم. ضریب حذف مود مشترک زیاد یکی از عوامل م...