نتایج جستجو برای: ترانزیستور یونیزاسیون برخوردی

تعداد نتایج: 1350  

ژورنال: :شیمی کاربردی 0
شهاب یوسف زاده 1 تبریز- دانشگاه تبریز- دانشکده علوم طبیعی- دانشجوی کارشناسی ارشد ژئوشیمی ابراهیم اصغری کلجاهی 2 تبریز- دانشگاه تبریز- - دانشکده علوم طبیعی- گروه علوم زمین- عضو هیات علمی نصیر عامل 2 تبریز- دانشگاه تبریز- - دانشکده علوم طبیعی- گروه علوم زمین- عضو هیات علمی تیرزاد گلبابازاده 3 گیلان- دانشگاه پیام نور- واحد تالش- عضو هیات علمی حسین صابری 4 بندرانزلی- پژوهشکده آبزی پروری- بخش اکولوژی- عضو هیات علمی

در این مقاله به ارزیابی یک روش ساده و کارآمد برای استخراج و پیش تغلیظ همزمان مقادیر بسیار کم سموم ارگانوکلره (ocps) در نمونه آب رودخانه، بر پایه حالت ویژه ای از روش میکرواستخراج مایع- مایع پخشی در یک لوله باریک و بلند حاوی نمونه پرداخته شده است. اثر عامل های مؤثر بر میکرواستخراج مانند نوع و حجم حلال های پخشی و استخراجی و حجم نمونه آب مورد بررسی قرار گرفته و بهینه شده است. در شرایط بهینه شده مخل...

ژورنال: علوم زمین 2010
امیرحسین صدر علی یساقی, محمد محجل,

در پهنه برخوردی کوهزاد زاگرس سبک ساختاری از بخش درونی (پهنه سنندج - سیرجان) به سمت بخش بیرونی (زاگرس) به ترتیب از سبک ستبر پوسته به سبک نازک پوسته تغییر می‌نماید. در این پهنه، گسل‌های راندگی با روند شمال باختر - جنوب خاور و شیب به سمت شمال خاوری، قدیمی‌ترین واحدهای ترادف رسوبی را به سطح رسانده‌اند. بر اساس الگوی دگرشکلی، پهنه برخوردی کوهزاد زاگرس را می...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1388

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad azim karami department of electrical engineering iran university of science and technology, tehran, iran. iman ansaripour department of electrical engineering iran university of science and technology, tehran, iran.

این مقاله به بررسی خواص نوری یک دیود بهمنی تک فوتون با بازه جذب وسیع ساخته شده در فن آوری سیماس استاندارد  65 نانومتری می پردازد. بازه وسیع جذب نور به علت استفاده مستقیم از زیرلایه بدون تعریف لایه ناخالصی اضافه بدست آمده است. بالاتر بودن ضریب یونیزاسیون ایمپکت الکترون نسبت به حفره سبب افزایش احتمال آشکارسازی فوتون در طول موجهای بالا (قرمز و مادون قرمز نزدیک) می شود. داشتن احتمال آشکارسازی کمتر ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی شهاب دانش - دانشکده برق 1392

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1392

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1389

مطالعات تجربی به منظور استخراج مایع ـ مایع سوکسینیک اسید توسط بوتانل از محلول آبی در دستگاه تماس دهنده با جریانهای برخوردی تحت سیستم شیمیایی بوتانل ـ سوکسینیک اسید ـ آب انجام شده است. این سیستم شیمیائی توسط انجمن مهندسی شیمی اروپا، به عنوان نمونه آزمایشگاهی برای فرایند استخراج مایع ـ مایع با کشش بین سطحی پایین توصیه گردیده است. در این تحقیق از پنج نازل با قطرهای مختلف و برای هر نازل پنج دبی حج...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید