در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

همواره در تقویت کننده توان کلاس-‏e‏ با توپولوژی خازن موازی، اثرات خازن های خطی و غیر خطی ذاتی عنصر ‏سویچینگ به منظور مدلسازی مدار در شرایط سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvs)‎‏ و تغییرات سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvds)‎‏ مورد توجه ‏قرار می گیرد. در این شرایط، دوره کاری ترانزیستور نه تنها به عنوان یک متغیر طراحی بلکه به عنوان یک پارامتر قابل تغییر به ‏منظور دستیابی به شرایط مشخص و خاصی از عملکرد مدار مورد توجه قرا...

هدف این مقاله ارائۀ طرحی نو از تمایز پژوهش پایه/ پژوهش کاربردی است که در اغلب اسناد سیاستی بنابر مدل خطی از نوآوری ترسیم می‌شود. طرح جدید که شرح کارکردگرایانه نام گرفته بر مدل کارکردگرایانه از تمایزِ علم محض/ علم کاربردی و خصوصاً دو مفهومِ بازنمایی علمی و نقشۀ طراحی استوار است. شرح کارکردگرایانه تقدّم تولید معرفتِ علمی بر کاربرد را، که با وجود پیشنهاد مدل خطی نمونه‌های ناقض فراوانی در تاریخ دارد، کن...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخ...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت‌های عریض بدون کاهش چشم‌گیر سرعت پیشنهاد می‌شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین‌کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می‌شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین‌کش کم شده و توان مصرفی کاهش می‌یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به‌صورت سری با شبکه پایین‌کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

نویز یکی از پدیده های مهم در علوم و مهندسی می باشد. حد پایین دقت هر دستگاه اندازه گیری و مینیمم سیگنال قابل آشکار سازی توسط آن تعیین می گردد. در طراحی مدارات فرکانس بالا با دقت بالا بایستی اثر نویز در نظر گرفته شود. برای اینکه اثر نویز را در طراحی لحاظ کنیم از پارا مترهای نویز استفاده می کنیم. برای هر قطعه نویزی پارامتری بعنوان مشخصه نویزی تعریف شده است که عدد نویز نامیده می شود. عدد نویز تابع ...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...