نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدانی

تعداد نتایج: 165261  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1352

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1362

چکیده ندارد.

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم اداری و مدیریت بازرگانی 1393

nfc یک استاندارد ارتباطی بی سیم که دستگاه های تلفن همراه هوشمند و دستگاه های مشابه را قادر می سازد تا به صورت خودکار داده ها را هنگامی که دو دستگاه به طور فیزیکی در فاصله اندکی از یکدیگر قرار می گیرند ، مبادله کنند. آزمایشات بین المللی ثابت کرده است که پرداخت مبتنی بر nfc در نظر مصرف کنندگان مناسب است . ارتباط میدان نزدیک (nfc) یک فناوری اتصال بی سیم ، برای تبادل کوتاه برد اطلاعات توسط ابزارها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

نوارهای لرزاننده علائم ایمنی هستند که به دو صورت فرورفته و یا برجسته بر سطح روسازی راه ها اجرا می شوند تا در کنار سایر علائم و در جهت کمک به راننده، سبب ارتقاء ایمنی و کاهش تصادفات شوند. این علائم به واسطه صدا و لرزشی که درون خودرو ایجاد می نمایند، سبب افزایش سطح هوشیاری رانندگان و در نتیجه کاهش بروز بسیاری از حوادث در راهها می شوند. از طرفی مطالعات صورت گرفته در کشور سرعت بالا، عدم توجه به جلو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده فنی و مهندسی 1389

اغلب مدارات در محیط هایی در حال کار هستند که تغییرات دمایی بر آنها اعمال می شود و نوسان دما بر ولتاژ بایاس تاثیر گذاشته ، آن را جابجا می کند . از طرفی یکی از پارامترهای مهم در طراحی مدارات الکترونیک ، دستیابی به بیشترین دامنه نوسان متقارن جریان و ولتاژ در خروجی می باشد . لذا استفاده بهینه و اقتصادی از یک مدار و اخذ ماکزیمم نوسان متقارن در خروجی مستلزم بایاس مدار در نقطه ای است که بیشترین دامنه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان 1390

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

پیدایش نخستین رایانه قابل برنامه­ریزی و ترانزیستور که منشأ میکروالکترونیک و هسته انقلاب فناوری اطلاعات شد، در قرن بیستم رخ داد. این انقلاب تکنولوژیکی مرزهای جغرافیایی را از بین برد و بر سیستم اقتصادی کشورها اثر گذاشت و آن را متحول کرد. آثار این انقلاب هم در کشورهای درحال‌توسعه که زیر ساخت­های مناسب و فضای رقابتی لازم را ندارد و هم در کشورهای توسعه­ یافته قابل مشاهده است.  مقاله  حاضر  به بررسی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید