در این پایان نامه یک پایانه تحریک و ثبت برای ارتباط عصبی خارج سلولی طراحی و ساخته شده-است. این سیستم متشکل از یک مبدل دیجیتال به آنالوگ، یک آینه جریان با محدوده جریان خروجی وسیع و یک تقویت کننده عصبی می باشد. با استفاده از تکنولوژی cmos-0.18µm از شرکت tsmc مدارهای این پروژه شبیه سازی شده اند. برای بلوک مبدل دیجیتال به آنالوگ دو طرح جدید پیشنهاد شده است. در طرح اول یک مبدل دیجیتال به آنالوگ جدی...

بزرگی تغییرات، بسیار به تکنولوژی ساخت مدارات مجتمع مربوطه وابسته است. برای نسل¬های جدید تکنولوژی، بررسی و مدل¬سازی این تغییرات جهت رسیدن به عملکرد صحیح و دقیق مدارات یک ضرورت به حساب می¬آید. با کوچک¬تر شدن ابعاد ترانزیستورها، بزرگی منابع تغییرات تصادفی موجود افزایش پیدا می کند یا ممکن است منابع تغییرات جدید ظاهر شوند. بنابراین مدل¬سازی اینگونه نوسانات، هم برای تکنولوژی¬های موجود و هم برای نسل ه...

تحقیقات نشان می¬دهد اشکالات گذرا در سیستم¬های دیجیتال بسیار رایج بوده وغیر قابل اجتناب است. این اشکالات ممکن است توسط نوسانات منبع تغذیه، برخورد نوترون¬های ساطع¬شده از اشعه کیهانی و یا ذرات آلفا صورت گیرد. در این میان، برخورد ذرات پرانرژی ساطع¬شده از اشعه کیهانی برای سیستم¬های دیجیتال از اهمیتی ویژه برخوردار است. هنگامی که یک ذره پرانرژی به قسمت حساس یک قطعه نیمه¬هادی برخورد کند، کانال متراکمی ...

با ادامه روند کوچک شدن طول کانال ترانزیستورها در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو، جریان نشتی افزایش می یابد بطوریکه توان نشتی، مخصوصا در گیتهای عریض، مولفه بسیار زیادی از کل توان تلفاتی سیستم را تشکیل می دهد. از سوی دیگر افزایش جریان نشتی منجر به کاهش مصونیت در برابر نویز مخصوصا در گیتهای دینامیکی عریض (با درون دهی زیاد) می گردد. بنابراین کاهش توان نشتی و افزایش مصونیت در برابر نویز به موضوع مهمی د...

-1- ضرورت و شیوه ی تحلیل تغییرپذیری: امروزه تغییر پذیری به واسطه پارامترهای ساخت با افزایش چشمگیر سرعت کاهش مقیاس ساخت در مدارهای vlsi بسیار پراهمیت گشته است . به خصوص تاثیر به سزای آن در تاخیر و توان و ماکزیمم فرکانس کاری مدارها در طراحی های مختلف بسیار محسوس می باشد . تغییر پذیری در دو نوع سیستماتیک و تصادفی است . تغییرپذیری های تصادفی مستقل از قرار گرفتن ترانزیستورها در مدار هستند و در مقاب...

در تکنولوژی های پیشرفته ی امروزی پیاده سازی یک سیستم کامل با سرعت پردازش بالا و فضای اشغالی کم بر روی تراشه امکان پذیر شده اما با توجه به چند برابر شدن تعداد ترانزیستورها بر روی تراشه نه تنها اتلاف توان کلی مدار کمتر نشده، بلکه بحرانی تر نیز شده است. در مدارهای دینامیکی بار بیش از حد سیگنال پالس ساعت که علاوه بر رجیسترها، گیت های دینامیکی را نیز تغذیه می کند موجب مصرف بالای توان بخصوص در مدارها...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی چهار مخلوط کننده ی ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای مختلف مطرح شده است. ابتدا یک مخلوط کننده ی به هم تابیده ی توان پایین و ولتاژ پایین برای کاربردهای باندپهن که بازه ی فرکانسی 0.5-7.5 ghz را شامل می شود طراحی شده است. این مخلوط کننده ی مبدل کاهشی کاملاً تفاضلی با استفاده از تکنولوژی cmos µm 0.18 طراحی شده است و ساختار به هم تابیده برای بهبود بهره ی مخلو...

در سال¬های اخیر استفاده از دستگاه¬های مخابراتی از رشد چشم گیری برخوردار بوده است. از جمله مهمترین مداراتی که در سیستم¬های مخابراتی مورد استفاده قرار می گیرند اسیلاتورها می¬باشند. یکی از مهمترین فاکتورهایی که در ارزیابی اسیلاتورها اهمیت دارد ، نویز فاز آن می¬باشد که از تلفات عناصر موجود در مدار آن ناشی می¬شود . به همین منظور طراحی اسیلاتوری که نویز فاز کمی داشته باشد از اهمیت بالایی برخوردار است...

کاهش سریع اندازه عناصر ‏cmos‏ نگرانی های جدیدی در رابطه با قابلیت اطمینان ‏ مدارها ایجاد کرده ‏است که از مهمترین اینها می توان پدیده ناپایداری ناشی از بایاس منفی و دما ‏‎(nbti)‎ ‏ را نام برد. این ‏پدیده ترانزیستورهای ‏pmos‏ را تحت تأثیر قرار می دهد و سبب افول عملکرد ‏ مدار می شود. بعد از ‏nbti، پدیده‎ ‎های تزریق حاملهای داغ‎(hci) ‎ ‏ و شکست دی الکتریک وابسته به زمان ‏‎(tddb)‎ ‏ نیز تأثیر ‏بسزای...

مدت ها تصور بر این بود که همه وسایل اپتیکی دارای رفتاری خطی هستند. مشاهداتی وجود داشت که این تصور را تایید می کرد. مستقل بودن ضریب شکست و ضریب جذب از شدت نور، تغییر نکردن فرکانس نور در هنگام عبور از محیط و مسایلی از این قبیل، خطی بودن ابزارهای اپتیکی را تایید می کرد. با اختراع لیزر در سال 1960 این امکان فراهم شد که رفتار نور با شدت بالا در محیط های اپتیکی، مورد آزمایش قرار گیرد. در صورتیکه قبل ...