تاکنون بحث ها و چالش های زیادی در مورد وجود اثرات کوانتومی در ساختارهای میکروسکوپی نورون های مغز انسان شده است. در سال های اخیر, برخی شواهد تجربی به دست آمده مبنی برآن بوده اند که اثرات کوانتومی می توانند در بهبود توصیف عملکرد سیستم های زیستی نقش مهمی داشته باشند.‎ در این پایان نامه بطور کلی کانال های یونی را مورد بررسی قرار می دهیم و تمرکز کار بر روی ساختار نانومقیاس فیلتر انتخابگر درون کانال...

سیلیسین دگرشکل دوبعدی سیلیسیم با ساختاری شبیه گرافین است که برای اولین بار در سال ‎1994‎ در یک تحقیق نظری به آن اشاره شد. این ماده ی دوبعدی خواص ممتاز و ویژه ای نسبت به گرافین دارد و به همین دلیل، به عنوان کاندیدای جدید برای استفاده در صنعت الکترونیک مطرح شده و ضرورت مطالعه ی خواص ترابردی این ماده مورد توجه قرار گرفته است. در سال های اخیر نانوساختارهای نیمه رسانا تبدیل به سیستم های مدل جهت تحقی...

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...

مدارهای الکترونی در مقیاس نانو بر پایه ی سازوکار قطعات مولکولی کار می کنند و برای طراحی و پیش بینی رفتار رسانش در این قطعات مطالعات نظری آن ها در چارچوب قوانین کوانتوم مکانیک ضروری است. دراینجا ابزار مناسب برای بررسی ویژگی های دینامیک تابع موج رهیافت تابع گرین است که بعنوان انتشارگر مطالعه ی انتقال امواج احتمال ذره از یک فضا-زمان اولیه به فضا-زمان ثانویه آسان تر می کند. در این پروژه، ترابرد ال...

در این پایان نامه، ترابرد ذرات باردار در پلاسمای کاملاً یا نسبتاً یونیده، با استفاده از حل معادلات نظریه جنبشی مورد مطالعه قرار گرفته است. در نظریه جنبشی، برخوردها از طریق معادله بولتزمن و اثرات تجمعی توسط معادله لینارد-بلسکو توصیف می شوند. به منظور حذف واگرایی از معادلات نظریه جنبشی از روش جدید پیوستگی ابعادی استفاده شده است که برای پلاسمای کاملاً یا نسبتاً یونیده جواب دقیقی از مسأله ارائه می دهد....

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

چکیده ندارد.

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی کنترل رسانش در ساختارهای نیمه رسانا می باشد. رسانش در ساختارهای نیمه رسانا را می توان با استفاده از نیمه رساناها و ترانزیستورها کنترل کرد. این پژوهش در سه بخش مورد بررسی قرار می گیرد که در این سه بخش تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلق? بنزن اعمال می شود .در بخش اول به محاسب? گاف انرژی می پردازیم .در بخش دوم به محاسب? اختلاف بار الکتریکی اتم های...

در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفه­های مختلف احتمال­ عبوردهی وابسته به اسپی...