در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

برآورد سریع و غیر مخرب رطوبت اهمیت بسزایی در مدیریت برداشت، انبار داری، فروش، و فراوری خرما دارد. در این تحقیق با روش خازن با صفحات موازی، ولتاژ متناوب سینوسی به محصول خرما اعمال و با دستگاه اسپکتروم آنالایزر پاسخ سیگنال خروجی مدار در محدودۀ فرکانسی 1 تا mhz 100 اندازه گیری گردید. از مدل های رگرسیون خطی چندمتغیره (mlr) به منظور استخراج رابطۀ بین رطوبت و مقادیر توان در فرکانس های گوناگون استفاده...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

پنتا اکسید وانادیم یک نیمرسانای نوع n است که تراز 3d آن در حال پر شدن است. این اکسید فلزی به شکل فیلم نازک کاربردهای وسیعی در پنجره های هوشمند و کلیدهای اپتیکی دارد. بنابراین، تعیین پارامترهای اپتیکی فیلم نازک v2o5 (شامل ضریب شکست و خاموشی) برای طراحی ابزارهای اپتوالکترونیک و پوششهای اپتیکی به صورت فیلم های اپتیکی نازک چند لایه و فیلترها ضروری است.تا کنون روشها و مدلهای مختلف فیزیکی برای محاسبه...

نانوکریستال های فریت با فرمول cu1-xznxfe2o4، که به یون های دوظرفیتی cu و zn آلاییده می باشد به روش سل- ژل ساخته شدند (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1). به وسیله تحلیل طیف xrd توسط نرم افزار maud و تصاویر sem از شکل گیری ساختار مورد نظر اطمینان حاصل شد. پودرها را به شکل قرص درآورده و به کمک دستگاه lcr، مقاومت الکتریکی، ظرفیت، تانژانت اتلاف و امپدانس الکتریکی آن ها اندازه گیری شد. سپس رسانندگی الکتریکی،...

در کار حاضر خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب bsb در حالت انبوهه و سطح (110) مورد مطالعه قرارگرفته شده است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از نرم افزار wien2k در تقریب های مختلف انجام شده است. خواص ساختاری این ترکیب در حالت انبوهه از جمله ثابت شبکه، مدول حجمی و ثابت های کشسان با استفاده از چهار تقریب مختلف مورد بررسی ...

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...

مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2aº/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (r) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (k.k.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نت...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد mbe و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسب فاصله مح...