نتایج جستجو برای: glass ion

تعداد نتایج: 274965  

2000
P. KNAUTH

The main theoretical concepts on ionic conduction at interfaces, especially the space charge layer model, are summarized in the ®rst part of this review: ion trapping or redistribution leads to charge carrier accumulation, depletion or inversion and, consequently, to conductivity changes in composite materials. Experimental con®rmations of the space charge layer model and the complementary perc...

Journal: :The Analyst 2014
Andrew Bowfield Josephine Bunch Tara L Salter Rory T Steven Ian S Gilmore Dave A Barrett Morgan R Alexander Kirsty McKay James W Bradley

Results are presented on the characterisation and optimisation of a non-thermal atmospheric pressure micro-plasma ion source used for ambient mass spectrometry imaging. The geometry of the experiment is optimised to produce the most intense and stable ion signals. Signal stabilities (relative standard deviation) of 2.3-6.5% are achieved for total ion current measurements from chromatograms. Par...

2013
N. Matsunami H. Kakiuchida M. Sataka S. Okayasu

AlN thin films have been grown on R((1-12) surface-cut)-Al2O3, SiO2-glass and C((001) surface-cut)-Al2O3 substrates, by using a reactive-RF-sputter-deposition method. X-ray diffraction (XRD) shows that AlN film has (110) orientation of wurtzite crystal structure for R-Al2O3 and (001) orientation for SiO2-glass and C-Al2O3 substrates. The film thickness was analyzed by Rutherford backscattering ...

Journal: :Analytical chemistry 2012
Shujuan Liu Yitong Dong Wenbo Zhao Xiang Xie Tianrong Ji Xiaohong Yin Yun Liu Zhongwei Liang Dmitry Momotenko Dehai Liang Hubert H Girault Yuanhua Shao

The modification of glass nanopipettes with polyethyleneimines (PEIs) has been successfully achieved by a relatively simple method, and the smallest tip opening is around 3 nm. Thus, in a much wider range of glass pipettes with radii from several nanometers to a few micrometers, the ion current rectification (ICR) phenomenon has been observed. The influences of different KCl concentrations, pH ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

Journal: :Bulletin of the Chemical Society of Japan 1977

Journal: :Journal of the Ceramic Association, Japan 1972

Journal: :Nuclear Technology and Radiation Protection 2017

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید