The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

در این مقاله تابش تراهرتز از یک محیط ابررسانا با ابعاد متناهی درون میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. تابش تراهرتز از یک محیط ابررسانا ناشی از حرکت خطوط شار داخل ابررسانا می باشد. برای محاسبه تابش از محیط ابررسانا، میدان های الکترومغناطیسی ناشی از فلاکسون ها به کمک شرایط مرزی محاسبه و به وسیله آن طیف تابشی از ابررسانا محاسبه می شود. در این پژوهش توان تابشی از یک محیط با اندازه محدود محاس...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

چنانچه در نمونه گیری، داده ها با احتمالی متناسب با اندازه انتخاب شوند، داده های حاصل را در طول-اریب نامند. برآورد ناپارامتری تابع چگالی با استفاده از داده های در طول-اریب، مشکلتر از سایر حالات است. یکی از برآوردگرهای معروف در این زمینه توسط جونز (1991) معرفی شده است. در این مقاله ابتدا پارامتر پهنای باند این برآوردگر با رهیافت بیزی برآورد می شود. سپس سازگاری قوی آن با به کار بردن پهنای باند برآ...

در این پروژه یک روش برای افزایش پهنای باند آنتن های مایکرواستریپ و در عین حال کاهش ابعاد آنها ارائه شده است . عاملی که تقریبا همواره پهنای باند آنتن را محدود می نماید رفتار امپدانسی آن است . دو روش معمول برای افزایش پهنای باند آنتن های مذکور، قرار دادن چندالمان تشعشعی (پچ) که به صورت پارازیتی به پچ اولیه کوپل شده اند و استفاده از صفحه اتصال کوتاه (یا پین های اتصال کوتاه) میان پچ اولیه و صفحه زم...