ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

نانولوله ها دارای تنوع بسیار در قطر و کایرالیتی هستند و خصوصیات الکتریکی آنها شدیداً به هندسه شان وابسته است در نتیجه خصوصیات الکتریکی بسیار متفاوتی دارند. نانولوله ها می توانند فلز، نیمه رسانا با گاف انرژی کوچک یا نیمه رسانا با گاف انرژی متوسط باشند. به علت این تنوع تعیین گاف انرژی آنها امری پیچیده است. در این پایان نامه گاف انرژی نانولوله های کربنی را در دو بخش محاسبه کردیم. در بخش اول با استف...

بلورkh2po4 دارای سه فاز شاخص تتراگونال (پاراالکتریک) در دمای اتاق، اورتورومبیک (فروالکتریک) تحت دمای بالا (که دمای گذار این بلور از پارالکتریک به فروالکتریک k 123 گزارش شده است) وهمچنین فاز منوکلینیک تحت دمای بسیار بالا است. (دمای گذار از تتراگونال به مونوکلینیک در حدود k 453 گزارش شده است) با توجه به اهمیت این بلور به خاطر داشتن خواص اپتیک غیرخطی خوبش، آن را از دو دیدگاه خواص الکترونی و اپت...

در این پژوهش محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و کد محاسباتی wien2k و با استفاده از رهیافتهای چگالی موضعی (lda) ، شیب تعمیم یافته (gga) و انگل وسکو (gga-ev) انجام میگیرد. ابتدا با بهینه کردن پارامترهای محاسباتی ساختار گرافن تخت تک لایه و ابر یاخته آن را شبیهسازی میکنیم و سپس خواص الکترونیکی و اپتیکی آن را مورد بررسی قرار میدهیم. سپس با وارد کردن اتمهای ga ، ge ، co و pd به روش جانشانی در ابر یا...

دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشه‌ها با اضافه‌کردن تعداد اتم‌های بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچ...

در این مقاله، نتایج حاصل از محاسبات تابعی چگالی را در بسته نرم‌افزاری VASP برای خوشه‌های CdnTen (10-1=n) و با استفاده از تقریب چگالی موضعی به روش امواج تصویری تقویت شده ارائه شده است. خواص ساختاری (طول و زاویه پیوند، عدد هم‌آرایی و پایداری)، الکترونی و اپتیکی (انرژی بستگی بر اتم، اختلاف مرتبه دوم در انرژی کل، گاف انرژی و چگالی بار جزئی) حالت‌های پایه خوشه‌ها مورد تجزیه تحلیل قرار گرفته اند. با ...

در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...

در این مقاله به تحلیل میدان در فیبر براگ بلورفوتونی با هسته تو خالی پرداخته می شود. برای تحلیل خواص جالب انتشاری مدهای te و tm در این نوع فیبربراگ از روش ماتریس انتقال کل استفاده شده که میدان هسته را به میدان آخرین لایه پیوسته ارتباط می دهد. با رسم نمودار β/k (عدد موج طولی به عدد موج کل) برای مدهای انتشاری برحسب λ (طول موج پرتو ورودی به فیبر) نمودار پاشندگی موجبر این ساختار مشخص می شود. همچنین ...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...