مواد ترموالکتریک گرادیان دمایی را به الکتریسیته تبدیل می کنند و همچنین قادر به انجام عکس این عمل می باشند . اما ترموالکتریک ها به خاطر کمیت شایستگی پایین خود ، که در کارآیی آنها نقش تعیین کننده ای دارد ، محدودیت کاربردی دارند . از طرفی کمیت شایستگی نانوساختار های یک بعدی به مراتب از همتای کپه ای بزرگ تر است . در این میان نانوسیم سیلیکون به خاطر ویژگی های بدیع از اهمیت بسیاری برخوردار است . در ا...

در میان نانوساختارهای اکسید روی، نانومیله ها و نانوسیمهای اکسید روی به دلیل خواص ویژه شان در انتقال الکترون، خواص گسیل میدانی و قابلیت کاربردشان در قطعات با راندمان بالا شامل نانولیزرها، دیودهای گسیلنده نور، حسگرهای گازی، سلولهای خورشیدی حساس به رنگ و موجبرهای اپتیکی در سالهای اخیر توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. با توجه به وابستگی خواص نانوسیمها به مورفولوژی آنها، کنترل عوامل موثر بر رشد در...

نانوساختار ها واحد های ساختمانی اصلی برای دسته وسیعی از نانو ابزارها هستند. از?زمان کشف نانولوله های کربنی ساخت و شناسایی سایر مواد یک بعدی بسیار مورد توجه قرار گرفته است . نانومیله ها، نانوسیم ها، نانونوار ها و نانولوله ها دسته ای از نانومواد ناهمسانگرد هستند که به عنوان ساختار های شبه تک بعدی مورد بررسی قرار می گیرند. نانو سیم ها موادی خوش آتیه در بسیاری از کاربرد های جدید از سنسور های شیمیای...

کاربردهای روز افزون نانو سیم ها درصنایع اپتو الکترونیک جهت ساخت لیزرهای نیمه هادی ، حسگرهـای فوق العاده سریع ، ساخت موادی پایـدار با خواص فیـزیکی و شیمیـایی ویژه ، جهت جوابگویـی روزافزون بـه صنعت در حوزه های گوناگون ما را بر آن می دارد تا به دنبال دیدگاه و نظریه جامع نظری در این حوزه باشیم تا از طرفی بتوانیم به توصیف پدیده های اتفاق افتاده در حوزه تجربی دست یابیم و از طرف دیگر به بسط ای...

boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...