در پژوهش حاضر ترکیب سیلیسید تنگستن با استفاده از پودرهای سیلیسیم و تنگستن توسط روش سنتز احتراقی فعال‌شده مکانیکی تولید شد و سپس، به کمک فرآیند جوش‌کاری قوسی تنگستن-گاز روی زیرلایه فولادی St37 روکش‌کاری گردید. بررسی فازهای تشکیل شده پس از زمان‎های مختلف آسیا نمودن پودرهای اولیه به کمک پراش پرتو ایکس مشخص گردید که بهترین زمان برای فعال‌‌سازی مخلوط پودرهای اولیه برای سنتز سیلیسید تنگستن h10 می‌باش...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

این تحقیق به بررسی خواص مکانیکی نانوکامپوزیت Al-5%Cu/SiC� با درصدهای مختلف وزنی 2،4و8 درصد SiC می�پردازد. از فرآیند متالورژی پودر برای ساخت نانوکامپوزیت استفاده شده است. پس از آسیاب�کاری، پودرهای حاصل در فشارMPa100 تحت پرس سرد و زینترینگ در دمای 590 درجه سانتی�گراد برای مدت یک ساعت در محیط آرگون قرارگرفتند. آزمایش�های چگالی�سنجی، سختی، استحکام فشاری و خمشی و سایش پین روی دیسک برای نمونه�ها صورت...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این پژوهش رفتار مکانیکی نانولوله های کربنی و همچنین نانولوله های کربید سیلیسیم با استفاده از تئوری دینامیک مولکولی بر اساس تابع پتانسیل ترسف مورد مطالعه قرار گرفته است. در مرحله اول ضریب الاستیسیته ی نانولوله های کربید سیلیسیم و کربنی برای ساختارهای آرمچیر و زیگ-زاگ به ازای قطرهای مختلف بدست آمده و اثر تغییر قطر نانولوله ها و همچنین تاثیر تغییرات دمای سیستم بر ضریب الاستیسیته ی این نانولوله ...

این پژوهش، یک روش جدید بر مبنای تلفیق فرایند تولید استیبن (sbh3) و میکرو استخراج تک قطره ای در فضای فوقانی به کمک قیف، برای اندازه گیری آنتیموان با طیف سنجی مولکولی مرئی-ماوراء بنفش ارائه می دهد. سدیم تترا هیدرو بورات (nabh4) به عنوان معرف کاهنده، برای تولید بخارات استیبن به کار می رود که متعاقبا با دی اتیل دی تیو کاربامات نقره (agddc) حل شده در مخلوط 1:1 کلروبنزن/کلروفرم (فاز پذیرنده) وارد واک...

در این پژوهش، فولاد زنگ نزن فریتی aisi 430 در یک مخلوط پایه پودر سیلیسیم و آلومینیوم به طور جداگانه به روش سمنتاسیون فشرده رسوب داده شد. پوشش ایجاد شده توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)، پراش سنجی پرتو ایکس (xrd) و طیف سنجی انرژی پرتو ایکس (edx) مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که رسوب سیلیسیم و آلومینیوم ایجاد شده بر روی زیرلایه، به صورت تک لایه ای شفاف بوده و به ترتیب دارای ضخامتی حدود ...

چکیده به منظور بررسی تأثیر سطوح مختلف نیتروژن، سیلیسیم و باکتری¬های حل کننده فسفات بر صفات کمی و کیفی و غلظت عناصر در خیار سبز رقم پویا f1 یک آزمایش فاکتوریل در قالب طرح کامل تصادفی شامل سطوح مختلف نیتروژن (0، 120، 240، 360، 480) میلی¬گرم در کیلوگرم خاک، سیلیسیم (0، 1، 5 میلی¬گرم در لیتر) و باکتری¬های حل کننده فسفات (b0 و b1) شامل تلقیح و بدون تلقیح باکتری¬های حل کننده فسفات در سه تکرار در گلخ...

چگالش بوز- اینشتین (bec)، تجمع ماکروسکوپی ذرات اسپین درست (بوزون ها) در حالت پایه انرژی زیر دمای بحرانی است، که در چندین دستگاه فیزیکی از جمله گازهای اتمی فوق سرد رقیق مثل سدیم و شبه ذرات حالت جامد مشاهده شده است. تابش جسم سیاه (تابشی که در ترازمندی گرمایی با دیواره های کاواک است) یک گاز بوزونی است که این گذار فاز را نشان نمی دهد. زیرا در این دستگاه، فوتون ها دارای پتانسیل شیمیایی ناچیزی هستند،...

ماشینکاری فتوشیمیایی یک فرآیند خوردگی فلزات است که در آن با به کارگیری نور و ماده حساس به نور، مناطق مورد نظر انتخاب و ماشینکاری می‏شود. در این فرآیند، به عنوان مهمترین مرحله، ابتدا سطح قطعه توسط ماده‏ای پلیمری و حساس به نور پوشانده می‏شود و سپس با نور دادن به بخش‏های خاصی از سطح، ساختار ماده حساس به نور تغییر کرده و بخش های نور ندیده (یا بالعکس) طی فرآیندهای تکمیلی حذف می‏گردد. سپس قطعه مورد ن...