نتایج جستجو برای: مقایسهگر ولتاژ پایین

تعداد نتایج: 45174  

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2015
مریم قدیری مدرس

در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحها...

ژورنال: :تحقیقات موتور 0
سعید جوان s. javan سید وحید حسینی s.v. hosseini سید شهاب الدین علویون s.s. alaviyoun فتح اله امی f. ommi

در این مقاله، میزان رفتگی الکترودها و افزایش دهانه شمع ها، بعد از آزمون های دوام اندازه گیری شد. سپس، ولتاژ مورد نیاز جرقه و کیفیت جرقه زنی تمامی شمع ها در سامانه آزمون قطعه ای شمع، بررسی گردید. بر اساس اندازه گیری ها، با افزایش ساعت کارکرد، دهانه شمع ها افزایش می یابد؛ بطوری که میزان افزایش دهانه، بعد از 189 و 281 ساعت کارکرد، بترتیب 2 و 4.4 برابر میزان افزایش دهانه برای شمع هایی با 80 ساعت کا...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...

Journal: : 2023

در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیم‌­پیچ چنبره‌ای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدان‌های مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیه‌سازی شده است. حال حاضر سیم­‌پیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید می‌کند ناحیه تخت آن حدود 20 می‌باشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده می‌گردد. ارتقاء 200، ضروری سیستم‌های کنترل مربو...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
مهران نظری دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق جواد یاوند حسنی دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
اسماعیل کریمی کارشناس ارشد - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، اصفهان، ایران ابراهیم برزآبادی دانشیار - دانشکده منهدسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، اصفهان، ایران

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز (lna) در فرکانس 2.4ghz در فناوری cmos پرداخته شده است. فرایند شبیه سازی با نرم افزار hspice rf انجام گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می شود. شبکه ی تطبیق اضافه شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر s11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
مریم قدیری مدرس کارشناسی ارشد - مهندسی برق الکترونیک، هنرآموز آموزش و پرورش ناحیه 4 اصفهان

در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحها...

ترانسفورماتورها وظایفی همچون انتقال ولتاژ، ایزولاسیون و تفکیک نویز را بر عهده دارند و یکی از اجزاء ضروری سیستم توزیع قدرت الکتریکی هستند. در عین حال، در فرکانس‌های صنعتی (50 هرتز) یکی از سنگین‌ترین و گران‌ترین اجزا در سیستم توزیع هستند. امروزه از ترانسفورماتور قدرت الکترونیکی به جای ترانسفورماتور قدرت معمولی استفاده می‌شود تا انتقال ولتاژ و تحویل توان در سیستم قدرت را انجام دهد. در این مقاله سا...

ژورنال: مهندسی مخابرات 2017

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
محمد حسین رضایی کارشناسی ارشد /دانشگاه آزاد اسلامی، واحد نجف آباد رحمت الله هوشمند دانشیار/دانشگاه اصفهان محمد عطایی دانشیار /دانشگاه اصفهان

ترانسفورماتورها وظایفی همچون انتقال ولتاژ، ایزولاسیون و تفکیک نویز را بر عهده دارند و یکی از اجزاء ضروری سیستم توزیع قدرت الکتریکی هستند. در عین حال، در فرکانس های صنعتی (50 هرتز) یکی از سنگین ترین و گران ترین اجزا در سیستم توزیع هستند. امروزه از ترانسفورماتور قدرت الکترونیکی به جای ترانسفورماتور قدرت معمولی استفاده می شود تا انتقال ولتاژ و تحویل توان در سیستم قدرت را انجام دهد. در این مقاله سا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید