در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...

یکی از آثار اپتیکی غیر خطی بس ذرهای استتار پلاسمایی است. یکی از پیامدهای این اثر اپتیکی غیر خطی کاهش باند گاف در اثر فرآیندهای تبادل و همبستگی است.

بلورهای نوری ساختارهای متناوبی هستندکه خواص اپتیکی گوناگونی را از خود نشان می دهند. وجود لایه های متناوب ضریب شکست، موجب حضور نوارهای ممنوعه برای فرکانس های خاص شده وفرکانس های مختلف نیز با موج های مختلف انتشار پیدا می کنند. از این رو بلورهای فوتونی قابلیت تغییر راستای انتشار نور را نیز از خود به نمایش می گذارند که با کنترل آن می توان به ضریب دست یافت. این پدیده که اخیراً مورد توجه زیادی قرارگرف...

پوشش?های نانوفوتوکاتالیست، در معرض تابش فوتون های پرانرژی ، توانایی حذف ترکیبات سمی آلی از محیط?های گازی و آبی را دارا می?باشند. اما این پوشش?ها به دلیل سطح ویژه کم، نسبت به نانوذرات کارایی کمتری از خود نشان می?دهند. برای بهبود کارایی باید ریزساختار این پوشش?ها را تصحیح کرد. در این تحقیق، سنتز لایه نانوفوتوکاتالیست� غیرهمگنTiO2/Al2O3� با استفاده از فرایند سل-ژل انجام شد. از قطعه های کوارتز به?ص...

با استفاده از محاسبات اصول اولیة ساختار الکترونی در چارچوب نظریة تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی، مغناطیسی و پایداری ساختاری ترکیبات نیم‌هویسلر d0-d جدید XYBi (X=K, Rb; Y=Sc, Ti, V, Cr) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که ۶ مورد از این ترکیبات شاملKCrBi ،RbVBi ،KVBi ،RbTiBi ،KTiBi و RbCrBi فرومغناطیس‌های نیم-فلزی می‌باشند. گاف انرژی نیم‌فلزی این ترکیبات در محدودة ۴۶/۰ تا ۷۱/۰ الکترون‌ولت...

در این تحقیق نانوذرات (x=0.5, 0.8) Cd1-xZnxS به کمک تابش ماکروویو تهیه شدند. خواص ساختاری نانوذرات با استفاده از پراش پرتو ایکس و (FTIR) و (EDAX) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بررسی هایXRD نشان می دهد که ساختار بلوری نانوذراتCd0.5Zn0.5S از نوع مکعبی و نانوذرات Cd0.2Zn0.8S از نوع هگزاگونال می باشد و کوچکتر شدن اندازه بلورک ها وارد شدن Zn در شبکه را گزارش میدهد. طیف سنجی EDAX مقدار واقعی نمونه ها ر...

در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانولوله نیترید بور تک دیواره نوع زیگ-زاگ در شرایط فیزیکی مختلف از جمله در حضور ناخالصی پرداخته ایم. محاسبات عددی ما مبتنی بر هامیلتونی تنگ بست، نظریه ی تابع گرین و فرمول بندی لانداور می باشد. عنصر کربن ناخالصی است که به ساختار نانولوله اضافه کرده ایم. نتایج ما نشان می دهد که نانولوله نیترید بور خالص یک عایق با گاف نواری حدود 5 الکترون ولت است و اندازه این گا...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

دیودهای نورگسیل پلیمری (pleds) به طورکلی از چند لایه ی آلی پلیمری تشکیل شده اند که روی هم قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به آنها، می توان از آنها نور گرفت. این منابع نوری ویژگی های منحصربه فردی دارند که همین ویژگی ها منجر به کاربردهای مختلف آنها شده است. مهم ترین کاربرد این منابع استفاده از آنها در ساخت صفحه نمایش هاست. صفحه نمایش های ساخته شده از این قطعات، در ولتاژهای پایین کار می کنند، می توانن...