نتایج جستجو برای: مشدد دی الکتریک

تعداد نتایج: 19007  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم 1391

هدف از اجرای این پروژه، تهیه و شناسایی پلی ایمیدها و نانو هیبریدهای پلی ایمیدی است که ضمن داشتن پایداری حرارتی و خواص مکانیکی و شیمیایی مطلوب ، از ثابت دی الکتریک کاهش یافته ای برخوردار باشند. بنابراین این تحقیق را می توان به دو بخش اصلی تقسیم کرد : 1- پلی ایمیدهای نوین بر پایه سیلوکسان 2- نانو هیبریدهای پلی ایمیدی مربوطه بر پایه نانوذرات سیلیکا در بخش اول برای تهیه پلی ایمیدها ، طراحی وسنت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی شیمی و نفت 1391

رشد روزافزون استفاده از منابع تجدیدناپذیر فسیلی، محدودیت این منابع و مشکلات زیست محیطی ناشی از بکارگیری آنها که منجر به بوجود آمدن بحران های انرژی و محیط زیست گردیده، انسان امروزی را به اندیشیدن درباره ی منابع پاک و جدید انرژی، خصوصاً انرژی های تجدید پذیر سوق داده است. در این میان هیدروژن با توجه به ویژگیهای خاص، پتانسیل ایجاد انقلاب در صنعت حمل و نقل و سیستم تامین انرژی را دارا می باشد و پیش بی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1391

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده فنی 1392

در پژوهش حاضر، سرامیک li2znti3o8 با روش معمول حالت جامد آماده سازی شد، سپس در مرحله اول در دماهای مختلف از ? 900 تا ? 1075 برای h 4 تحت عملیات آنیل قرار گرفت. در مرحله دوم نمونه های سینتر شده در زمان های متغیر از 4 تا h 20 آنیل شده اند. در همه ی دماها فاز li2znti3o8 تشکیل شده است، علاوه براین در دماهای ? 1050 و ? 1075 فاز ثانویه tio2 تشکیل شده است. میکروگراف sem نشان می دهد که با افزایش دمای آن...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
محمدرضا گرسیوزجزی m.r. garsivaz jazi محمدعلی گلعذار m.a. golozar کیوان رئیسی k. raeissi

در پژوهش حاضر، ترکیب شیمیایی، ضخامت و رفتار تریبوخوردگی لایه اکسیدی بر روی آلیاژ ti-6al-4v، ایجاد شده به روش آندایزینگ1 در محلول h2so4/h3po4 و ولتاژهای بالاتر از ولتاژ شکست دی الکتریک مورد بررسی قرار گرفت. اندازه گیری ضخامت لایه های اکسیدی نشان داد که ضخامت پوشش با افزایش ولتاژ آندایزینگ به صورت خطی افزایش می یابد. تحلیل طیف سنجی پراکنش انرژی (eds2) از فیلم اکسیدی، حضور عناصر فسفر و گوگرد از ال...

ژورنال: :مهندسی بیوسیستم ایران 2011
آذر خورسندی عباس همت امین اله معصومی رسول امیرفتاحی

تراکم و محتوای رطوبتی خاک، دو ویژگی فیزیکی تاثیر گذار بر عملکرد محصول در مزرعه می باشند. استفاده از حسگرهای خازنی، روشی دقیق برای تخمین محتوای رطوبت خاک می باشند. در این روش، خاک به عنوان بخشی از دی الکتریک حسگر خازنی محسوب می شود. در این تحقیق، یک حسگر اندازه گیر رطوبت خازن-مبنا که می تواند رطوبت خاک را به طور پیوسته اندازه گیری کند، ساخته و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر از دو بخش تشکیل شده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایه 1390

فلاکسون ها در اتصالات جوزفسون مانند سالیتون های معادله سینوسی گوردن رفتار می کنند. به منظور کنترل آن ها، یک دی الکتریک با ضخامت متغیر را بین دو ابررسانا قرار داده ایم. در این پایان نامه، ابتدا ضخامت دی الکتریک را تابع مکان در نظر می گیریم و پاسخ های تحلیلی معادله سینوسی گوردن را در این محیط به دست می آوریم. در مرحله بعد با استفاده از انرژی پتانسیل و جنبشی فلاکسون در مکانیک کلاسیک، رابطه بین سرع...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده فنی 1388

در این پایان نامه ابتدا به بررسی تحلیلی مشدد های حلقوی پرداخته ایم سپس تمامی آثار نوری خطی و غیر خطی دخیل در موجبرهای سیلیکونی در محدوده باند مخابرات نوری را آورده ایم. در ادامه ضمن معرفی و آموزش روش شبیه سازی fdtd مشتقات محدود حوزه زمان، به شبیه سازی مشدد سیلیکونی پرداخته ایم ابتدا الگوریتم جدیدی ارائه شده است که ضمن حفظ الگوریتم اصلی yee قابلیت شبیه سازی تمام آثار غیرخطی را داراست. در آخر نتا...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 1995
دکتر فرخ آرزم مهندس علیرضا شوشتری

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

ژورنال: :علوم 0
حمدا.. صالحی h salehi عضوهیات علمی بهاره توکلی نژاد bahaareh tavakoli nejad

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و کشسانی سولفید استرانسیوم در فاز کلرید سدیم بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل  بارپایسته در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. تابع دی الکتریک برای تابش تا حدود 40 الکترون ولت محاسبه شده است. گاف نواری به دست آمده درراستای  (x-γ)  4933/2الکترون ولت است که با دیگر داده های  موجود سازگاری خوبی دارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید