چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

با گسترش تکنولوژی الکترونیک، ادوات الکترونیکی ارزان قیمت و پرتابل عرضه شده اند. یک رگولاتور ولتاژ طوری طراحی می شود که علی رغم تغییرات ولتاژ ورودی و تغییرات در جریان بار همواره ولتاژ خروجی ثابتی ایجاد کند. رگولاتور ldo یک رگولاتور ولتاژ خطی است که افت ولتاژ کمی ایجاد می کند. این نوع رگولاتور ها مشخصاتی نظیر نویز کم و ساختار مداری ساده دارند که آن ها را برای استفاده در ادوات پرتابل مناسب می سازن...

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...

در این پایان نامه مسائلی که در مورد تحلیل pll وجود دارند بررسی شده و روش هایی برای تحلیل دقیق تر آن ارائه میشود. در تحلیل رفتار pll مدار آشکارساز فاز نقش بسیار مهمی دارد و برای پیش بینی درست رفتار pll نیاز به یک مدل دقیق برای آشکارساز فاز می باشد. در بسیاری از مراجع، آشکارساز فاز به صورت یک منبع ولتاژ وابسته مدل می شود اما از آنجا که پیاده سازی عملی آشکارساز با ترانزیستور انجام می شود، منبع ولت...

در این پایان نامه سه تقویت کننده کم نویز برای باند ku طراحی شده اند . در هر یک از این سه طرح سه روش تطبیق متفاوت مبتنی بر طراحی فیلتر میانگذر برای نخستین بار استفاده شده است . دو مدار نخست از ناحیه کانال کوتاه و اشباع حامل ها برای دستیابی به حداکثر گین ، خطینگی و فرکانس قطع برای ترانزیستورها استفاده می کنند و علاوه بر آن نسبت به کارهای مشابه توان بسیار کمتری مصرف می کنند . در طرح فیلتر ورودی د...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در این پروژه، مدل سازی تمام گسترده ترانزیستورهای گالیم آرسناید در فرکانس های بالا بررسی شده است. با استفاده از این روش و با فرض ترانزیستور به عنوان سه خط کوپل شده فعال، معادلات amtl و namtl بترتیب در رژیم خطی و غیرخطی استخراج شده اند. این معادلات در حوزه زمان با استفاده از روش عددی تفاضلات محدود در حوزه زمان حل و نتایج آنها با نتایج حاصل از روش شبه گسترده که توسط نرم افزار ads انجام شده، مقایسه...