اسکوئید مخفف عبارت ابزار ابررسانشی تداخل کوانتومی، یکی از حساس ترین سنسورهای مغناطیسی است که تاکنون شناخته شده است. پیشرفته ترین نمونه های آن توانایی آشکارسازی میدان های مغناطیسی از مرتبه فمتوتسلا را دارا می باشند. این قطعه الکترونیکی، حلقه ای ابررسانا از جنس نایوبیوم است که نوع dc آن دارای دو پیوند جوزفسون بوده که در حکم قلب اسکوئید است. پیوند جوزفسون متشکل از سه لایه nb/al-alox/nb می باشد که ...

کار بر روی پروژه "شبیه سازی، طراحی و تهیه ی اجزای مورد نیاز برای ساخت سامانه ی لایه نشانی pecvd"، با هدف لایه نشانی اکسیدسیلیکون به عنوان لایه ی محافظ در قطعات الکترونیک آغاز شد. در مراحل ابتداییِ تحقیق مشخص شد که اغلب لایه های دی الکتریک موجود در تکنولوژی مدارات مجتمع، از جمله دی الکتریک بین لایه ها، اکسید میدان، لایه های محافظ و حتی در مواردی اکسید گیت، با روش های لایه نشانی بخار شیمیایی در مح...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

در این مقاله، پودرba0.5 sr0.5 co0. 8 fe0.2 o3-δ (bscf)  با هدف استفاده به عنوان کاتد پیل سوختی اکسید جامد به روش سل- ژل ساخته شد. همچنین، لایه های نازک  bscf روی زیر لایه(sto)  srtio3، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (pld) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. ساختار بلوری این نمونه ها توسط پراش پرتو x (xrd) و مورفولوژی سطح لایه ها توسط میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) بررسی شد. اندازه گیری مقاومت الکت...

در این مقاله، لایه ­ های نازک ba0/5sr0/5co0/8fe0/2o3-δ (bscf) روی زیر لایه 3 (sto) srtio (100) به روش لایه نشانی لیزر پالسی ( pld ) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. برای تهیه لایه های نازک، از نانوذرات پودر bscf که با روش سل-ژل با هدف کاربرد در ساخت کاتد پیل سوختی اکسید جامد تهیه شدند، استفاده شد. ساختار بلوری نمونه ­ ها­ توسط پراش پرتو x ، (xrd) مطالعه شد. نتایج xrd نشاندهنده ساختار مکعب...

شناسایی و تعییین نمایۀ عمقی اکسیژن در سطح مواد، لایه های نازک و به ویژه در کاربردهای صنعتی که با طیف گسترده ای از اکسیدها استفاده می شود، بسیار ضروری است. در این بررسی، از دو روش آنالیز با باریکۀ یونی (iba)، یعنی پراکندگی الاستیک تشدیدی (res) برای اکسیژن (16o(α, α)16o) و واکنش هسته ای (16o(d, p1)17o و 16o(d, p0)17o)، برای به دست آوردن نمایۀ عمقی غلظت اکسیژن در آلومینای آندی نانوحفره استفاده شد....

اکسید نیتریک به عنوان یک رادیکال آز اد در تنظیم فرایندهای تکاملی، نقش مهمی به عهده دارد. این ماده که توسط آنزیم اکسید نیتریک سینتاز( nitric oxide synthase=nos ) تولید می شود ممکن است نقش نوروترانس میتر، نورومدولاتور و یا ملوکول پیامبر ثانویه را در سیستم عصبی مرکزی به عهده داشته باشد. با توجه به این که میزان تولید اکسید نیتریک( nitric oxide=no ) در سنین مختلف جنین و حتی بعد از تولد، متفاوت است د...

در این کار پژوهشی تکنیک نوشتن لیزر برای سنتز گرافن روی سطح یک دیسک و ساخت ابرخازن های گرافن مورد توجه قرار گرفته است. برای اینکار، نخست به روش هامرز، گرافیت در یک محیط اسیدی شامل سدیم نیترات، پتاسیم پرمنگنات و اسید سولفوریک به اکسید گرافن تبدیل شد. برای همگن سازی محلول اکسید گرافن از دستگاههای سانتریفیوژ و التراسونیک استفاده شد. محلول همگن اکسید گرافن روی سطح دیسک های خاص اعمال و مجموعه در دمای...

لایه های نازک اکسید روی خالص و آلایش یافته با منگنز (ZnO:Mn) به روش سل – ژل برروی زیرلایه های شیشه تهیه شده و خواص فیزیکی آن بررسی شده است. مطابق نتایج به دست آمده، با افزایش ضخامت، دمای بازپخت و افزایش لایه ها طیف تراگسیل نمونه ها در طول موج های اندازه گیری شده کاهش می یابد. همچنین افزایش دمای بازپخت و لایه ها موجب کاهش گاف انرژی نانو فیلم ها می شود. این تغییرات بین 45/3 تا 84/3 الکترون ولت بر...

در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه سل ژل بر روی زیرلایه ی شیشه ساخته شد. بعد از ساخت نمونه ها، به بررسی اثر دمای پخت، آلایش al و تابش لیزر به سطح لایه ه...