بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار نواری می-باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، ...

آنتن های پچ مایکرواستریپ به علت سبکی وزن، ابعاد کوچک، انعطاف پذیری بالا و سهولت مجتمع شدن با مدارات مایکروویو در سیستم های مخابرات بی سیم مانند تلفن های سلولی، رادارها و مخابرات ماهواره کاربرد های فراوان دارند. اگرچه از معایب عمده آن ها می توان به باریک بودن پهنای باند ، پایین بودن کارایی و وجود امواج سطحی اشاره کرد. به منظور غلبه بر مشکلات موجود تاکنون راه حل های زیادی مانند استفاده از ساختاره...

الکتروریسی روشی نوین و کارآمد برای تولید آسان الیافی است که دامنه قطری آنها در مقیاس نانوست. این روش از رایج ترین روش های تولید نانوالیاف به شکل های مختلف مانند نانوالیاف هسته- پوسته، توخالی و متخلخل است. از میان شکل های مختلف نانوالیاف تولید شده، نانوالیاف توخالی در مقایسه با نانوالیاف معمولی به دلیل مقدار سطح بیشتر (تقریبا دو برابر) کاربردهای بسیاری در حسگرها، پیل های خورشیدی، پیل های سوختی، ...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه گاف نوار فوتونی نامیده می شود. بلورهای فوتونی یک بعدی ساختارهای دی الکتریکی هستند که خصوصیات اپتیکی-شان در یک جهت تغییر می کند، این جهت محور تناوبی نامید...

بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل داشتن گاف فرکانسی شبه سه بعدی و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با برهم زدن تناوب شبکه ی بلور فوتونی، می توان یک کاواک به وجود آورد. این کار را می توان با تغییر جنس یا اندازه ی یکی از حفره های شبکه انجام داد. ایجاد نقص نقطه ای در بره ها، موجب به وجود آمدن مدهای ...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...

در این مقاله وابستگی ناحیه تک مدی تارهای نوری ریز ساختار سیلیکا-هوا به پارامترهای ساختار از جمله قطر حفره ها d ، و فاصله تناوبی حفره ها، λ به طور تئوری بررسی شده است. محاسبات بر اساس روش ضریب شکت مؤثر اسکالر برای سه نوع تار نوری ریزساختار که مغزی آنها به ترتیب از حذف یک، سه و هفت حفره بوجود آمده انجام شده است. سه ساختار مذکورکه بترتیب 1mof، 3mof و 7mof نامیده می­شود دارای نواحی تک­مد متفاوت ناح...

بلورهای فوتونی که به دلیل ویژگی¬های جالب توجهشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی، در سالهای اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته اند، ساختارهای متناوبی از دی¬الکتریک¬ها هستند که به صورت مصنوعی ساخته می¬شوند و در تشابه با نیم¬رساناها یک ناحیه ممنوعه فرکانسی دارند که نوار گاف فوتونی نامیده می شود. تمامی خواص جالب بلورهای فوتونی، ناشی از وجود این گاف ممنوعه فرکانسی است. بلورهای فوتونی حلقوی آثار چ...

در این تحقیق، مدلی برای تماس دهنده غشایی فیبر توخالی پلی پروپیلن جهت جذب دی اکسید کربن ارائه شده است. بین جذب دی اکسید کربن در تماس دهنده غشایی فیبر توخالی با برج جذب دارای دو جریان ورودی جاذب، با استفاده از جاذب کربنات پتاسیم مقایسه ای انجام شده است. اجزاء فاز گاز و مایع ورودی به تماس دهنده غشایی مانند برج جذب واحد آمونیاک پتروشیمی شیراز می باشند. مدل سازی بر مبنای حالت خشک برای غشا (عدم ورودی...

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...