میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه دی الکتریک موازی در فضای تهی، به روش تابع گرین، کوانتیزه می شود. برای سادگی محاسبات فرمولبندی به حالت یک بعدی اختصاص داده می شود. فشار تابشی خلاء روی هر وجه یک تیغه، با برگرداندن عبارت های کلاسیک به عبارت های کوانتومی نظیر محاسبه می شود. نیروی کازیمیر بر واحد سطح هر تیغه با محاسبات اختلاف فشار در دو طرف تیغه ها بدست می آید. نتیجه نهایی با کارهای قبلی، که با ...

در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

در این پژوهش نانو پودر ba(zrxti1-x)o3 با مقادیر20/0 و 15/0 ، 10/0 ، 05/0 ، 0 x = ، به روش احتراق ژل ساخته شد. طرح پراش پرتو x از نانوپودرهای کلسینه شده در oc 1000 نشان داد تمامی نمونه ها تک فازند و ساختار مکعبی پروسکایت دارند. نمودار ثابت دی الکتریک بر حسب دما برای سرامیک های ساخته شده از نانوپودرها نشان داد دمای کوری با افزایش جانشانی zr کاهش می یابد، به-طوری که از oc 123 برای باریم تیتانات خا...

برآورد سریع و غیر مخرب رطوبت اهمیت بسزایی در مدیریت برداشت، انبار داری، فروش، و فراوری خرما دارد. در این تحقیق با روش خازن با صفحات موازی، ولتاژ متناوب سینوسی به محصول خرما اعمال و با دستگاه اسپکتروم آنالایزر پاسخ سیگنال خروجی مدار در محدودۀ فرکانسی 1 تا mhz 100 اندازه گیری گردید. از مدل های رگرسیون خطی چندمتغیره (mlr) به منظور استخراج رابطۀ بین رطوبت و مقادیر توان در فرکانس های گوناگون استفاده...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...

مقدمه: در این مطالعه با استفاده از روش اجزاء محدود، توزیع دما و تنش حرارتی در دندان‌های ترمیم شده با انله‌های سرامیک و طلا بررسی شد. مواد و روش‌ها: هندسه دقیق دندان مولر اول پایین با استفاده از روش اسکن سه بعدی تهیه شده و مدل دندان؛ شامل مینا؛ عاج؛ سمان رزینی و ترمیم انله (از دو جنس مختلف آلیاژ طلا نوع 2 و سرامیک لیتیوم دی سیلیکات) در نرم افزار آباکوس ساخته شده است. تاج دندان به مدت دو ث...

کوردیریت به لحاظ ویژگی های فیزیکی مناسب نظیر ثابت دی الکتریک پایین در فرکانس های بالا و ضریب انبساط حرارتی کم? یک فاز بلورین مطلوب است. با توجه به ویژگی های مذکور در کاربرد های الکترونیکی و اپتیکی جایگاه ویژه ای دارد. لذا خلوص بالا برای این کاربرد ها الزامی است که از طریق روش های نوین ساخت شیشه-سرامیک ها می توان به این مهم نائل شد. در این پژوهش? روش سل-ژل برای تهیه شیشه-سرامیک ها مورد بررسی ق...

مس با خلوص 99.97% را در ضخامت های متفاوت بر زیرلایه شیشه، به روش تبخیر در خلاء با آهنگ 2aº/sec رشد داده ایم. طیف ضریب بازتاب (r) نمونه ها را در فرود تقریبا عمود در بازه طول موج 200nm<λ<3000nm با دستگاه طیف سنجی 500 carry به دست آوردیم و با استفاده از آن، بخش حقیقی و موهومی ضریب شکست (n و k) و ضرایب دی الکتریک (ε2وε1) را با روش کرایمرز کرونیگ (k.k.) به دست آوردیم و با نمونه حجمی مقایسه کردیم. نت...