میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه دی الکتریک موازی در فضای تهی، به روش تابع گرین، کوانتیزه می شود. برای سادگی محاسبات فرمولبندی به حالت یک بعدی اختصاص داده می شود. فشار تابشی خلاء روی هر وجه یک تیغه، با برگرداندن عبارت های کلاسیک به عبارت های کوانتومی نظیر محاسبه می شود. نیروی کازیمیر بر واحد سطح هر تیغه با محاسبات اختلاف فشار در دو طرف تیغه ها بدست می آید. نتیجه نهایی با کارهای قبلی، که با ...

در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

در این تحقیق، نانوپودر سرامیکی pb(zr1-xtix)o3 به ازای x =0/48، در نزدیکی مرز مورفوتروپیک، به دو روش همرسوبی و احتراق ژل تهیه شدند. تاثیر دمای تکلیس بر ساختار و ویژگی های نانوپودرهای pzt تهیه شده به روش احتراق ژل بررسی شد. پارامترهای اپتیکی از جمله ضریب شکست، قسمت حقیقی تابع دی الکتریک و فونون های اپتیکی، در گستره عددموج 400cm-1 تا 4000cm-1، به کمک روابط کرامرز- کرونیگ محاسبه شدند. گاف اپتیکی نم...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

در این پایان نامه بلور فوتونی دو بعدی متشکل از دو نانو استوانه هم مرکز دی الکتریک-فلز را در شبکه مربعی با استفاده از روش بسط موج تخت اصلاح یافته شبیه سازی و مورد مطالعه قرار داده-ایم. چهار ساختار در نظر گرفته شده، اولین ساختار، بلور فوتونی دو بعدی متشکل از نانو میله های دی الکتریک با پوسته ای از جنس فلز نقره می باشد که در زمینه ای از هوا قرار گرفته است. دومین ساختار، متشکل از نانو میله هایی از ...

هدف از این کار تجربی، ارائه و بررسی نتایج حاصل از اندازه گیری مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک در بلور های مایع خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی با درصدهای متفاوت، بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان است. به این منظور مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک را برای یک بلور مایع خاص (e7 )، در حالت خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی، اندازه گیری می کنیم. برای این کار مولفه های موازی و...

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...

یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...