سئوال اصلی مقاله این است که آیا جهش پولی نرخ ارز می‌توا ند یک متغیر پیشرو در وقوع چرخه‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌های تجاری در ایران باشد. برای پاسخ به این سئوال ابتدا از روش فیلترینگ هادریک پرسکات تکانه های نرخ ارز، جهش پولی نرخ ارز و تکانه های تولید ناخالص داخلی واقعی در طی سالهای 9۵-1368 محاسبه شد و چهار چرخه کامل ارزی (اوج- اوج) شناسایی گردیدند. سپس از روش تجربی لوکاس همبستگی متقابل تکانه تولید‌‌ ناخالص‌دا...

هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

در این مقاله تاثیر غلظت های مختلف هیدروکسید پتاسیم و سیلیکات سدیم در الکترولیت پوشش دهی میکروقوس الکتریکی بر ریزساختار و رفتار خوردگی پوشش سرامیکی ایجاد شده روی زیرلایه آلیاژ آلومینیوم 6061 بررسی شده است. رفتار خوردگی پوشش ایجاد شده در محلول نمک کلرید سدیم 5/3 درصد وزنی توسط تکنیک پلاریزاسیون بررسی شده و با استفاده از پراش اشعه ایکس،  میکروسکوپ الکترونی روبشی و طیف سنجی پراش انرژی اشعه ایکس بتر...

امروزه به چشمه‎های مختلف نوری مخصوصا انواع لیزرها به دلیل خواص منحصر به فرد آن‎ها همانند همدوسی زمانی و فضایی، واگرایی بسیار کم در فواصل زیاد، چگالی انرژی بسیار بالا و غیره در زمینه‎های گسترده‎ای احتیاج داریم. در بیش‎تر این کاربردها به همراه استفاده از پرتوی نور بحث شکل دهی به آن مطرح می‎شود. با شکل دهی به پرتو برای هر کاربرد خاص و به طور مناسب می‎توان بازده‎ی پرتوی لیزر را به میزان قابل توجهی ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

مقدمه: یکی از معمول ­ترین موارد استفاده از ایزوتوپ­ های پزشکی، درمان سرطان و پرکاری تیروئید با استفاده از ید-131 است. ید-131 در سلول ‌های سرطانی تجمع کرده و واپاشی می­کند. بدیهی است که در این روش درمانی، توزیع مکانی و زمانی ماده رادیو اکتیو در بدن به صورت محسوسی می ‌تواند متفاوت باشد. هدف از این مطالعه بررسی تاثیر بالقوه نحوه توزیع ید رادیو اکتیو در بدن بر میزان اکسپوژر محاسبه شده در فوا...

آبراهام مزلو به عنوان پدر روانشناسی انسان گرا به تدوین مبانی نظری روانشناسی انسان گرایانه کمک شایانی کرد. او معنویت را از مهمترین عناصر اینگونه نگرش می دانست. به نوعی که انسان گرایی نوین مزلو، در سطحی هماهنگ و معنا محور، تلفیقی از روشن نگری شرق و روشن نگری غرب را فرا روی می نهد که مهمترین گام برای دستیابی به این آرمان والا را، استقرار و تثبیت کنش و منش معنوی به عنوان شالوده و سنگ بنای فرهنگ انس...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...