تخمین توزیع اندازه ذره در مراحل مختلف خردایش از جمله مهمترین پارامترها در کنترل فرایند می باشد. روش مرسوم اندازه گیری توزیع اندازه ذره در صنعت آنالیز سرندیست که با توجه به تناژ بالای مواد و درشت بودن ابعاد ذرات کاری دشوار و زمان بر می باشد. هدف از بررسی حاضر، ارزیابی پتانسیل قطرهای معادل مختلف به منظور تخمین توزیع اندازه ذره واقعی با استفاده از تکنیک های پردازش تصویر و شبکه عصبی می باشد. برای ا...

در این مقاله تأثیر پارامترهای اساسی پاشش حرارتی hvof بر سرعت ذرات پودر سرمت wc-12co مورد مطالعه قرار گرفته است. تأثیر فاصله پاشش، نسبت اکسیژن به سوخت، نرخ تغذیه پودر و سرعت حرکت تفنگ مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج بررسی آماری نشان می دهد که با کاهش فاصله پاشش و افزایش نرخ تغذیه پودر، سرعت ذره افزایش می یابد. این درحالی است که افزایش نسبت اکسیژن به سوخت همواره باعث افزایش سرعت ذره نمی شود و سرعت ...

دو هدف در این تحقیق دنبال می شود. در بخش اول، ابتدا اثرات چند-ذره ای در برخی خوشه های مولکولی مطالعه می گردد. خوشه های مولکولی مورد مطالعه شامل مدلهای مولکولی مناسبی نظیر استامید، اوره، تیو اوره و اسید اگزالیک می باشد. محاسبات اثرات چند-ذره ای به کمک تئوری اختلال مولر-پلست، نظریه تابعیت چگالی ، تئوری اتمها در مولکولها (aim) وآنالیز اوربیتالهای طبیعی (nbo) انجام گرفت. برای بدست آوردن ماهیت فیزیک...

در این پایان نامه ما نگاشت های سایبرگ –ویتن را برای میدان هیگز و میدان پیمانه ای غیر آبلی تا مرتبه ی دوم ? (پارامتر ناجابجایی) بدست آورده ایم. در ادامه، جرم دار کردن نوترینو و خواص الکترومغناطیسی و رابطه ی پاشندگی آن را در دو نسخه ی متفاوت از مدل استاندار در فضای ناجابجایی، مطالعه کردن و نشان داده ایم در مدل استاندارد در فضای ناجابجایی که با استفاده از نگاشت های سایبرگ-ویتن بر اساس گروه تقارن پ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این پایان نامه رفتار زمانی آنتروپی فون نویمن به عنوان سنجه ای برای اندازه گیری درهمتنیدگی بین یک اتم سه-ترازه -شکل و مجموعه ای از فوتونهای یک میدان الکترومغناطیسی دو-مد، مطالعه شده است. برهمکنش اتم-فوتون در یک کاواک غیر خطی کر-مانند با جفت شدگی وابسته به شدت را در نظر گرفته و به کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در این محیط شروع می کنیم. با معرفی یک عملگر کازیمیر (n)، که ویژه مقادیرش تعداد ...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...