در سال‏های اخیر با توجه به پیشرفت‏های انجام گرفته در علم الکترونیک و استفاده از بلورهای نیمرسانا در کاربردهای مختلف از جمله پزشکی، صنعت، نظامی، ارتباطات و غیره، دانشمندان به این نتیجه رسیدند که محصورشدگی کوانتومی در ساختارهای غیرهمجنس با بعد کوچک، ویژگی‏های اساسی یک بلور نیمرسانا را به شدت بهبود می‏بخشد. از آنجایی که در نقاط‏کوانتومی، حامل‏ها در سه بعد محصور می‏شوند، بهبود ویژگی‏های الکترونی به...

در این پایان نامه خواص الکترونی و اپتیکی مولیبدن دی سولفید در دو حالت بالک و نانو مورد بررسی قرار گرفته است . محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه تابعی چگالی صورت گرفته است . در انجام محاسبات مربوط به تابع تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است . هم چنین کلیه محاسبات با استفاده از بسته نرم افزاری wien2k انجام شده است. مولیبدن دی س...

در این رساله ساختار الکترونیکی و ترابردی الکترونی سیستم های دو بعدی جدید را در حضور ناکاملی هایی همچون کرنش و بی نظمی بررسی نموده ایم. این رساله شامل نه فصل می باشد. فصل اول مقدمه ای ست که ساختار کلی رساله را نشان می دهد. فصل دوم مقدمه ای بر خواص عمومی گرافین و دی کلکوجناید فلزات واسطه را شامل می شود. در فصل سوم پس از ارائه یک بازنگری کلی بر نظریه الاستیسیته و اثر کرنش بر خواص الکترونیکی گرافین...

در این پایاننامه ابتدا در فصل اول توضیحاتی در مورد ساختار گرافن، کاربردهای آن، مزیت های فراوان آن نسبت به سایر مواد، و همچنین اشاره ای در مورد اصول و ادوات فتوولتائیک ارائه کرده ایم، در فصل دوم مبانی و روش های پژوهش را شرح داده و با معادلات حاکم بر فتوولتائیک آشنا شده ایم و همچنین مدل سازی های لازم برای انجام پروژه را مرور کرده ایم و در نهایت در فصل سوم ابتدا با استفاده از شبیه ساز سیلواکو، سلو...

یکی از زمینه های مورد علاقه در اسپینترونیک، تزریق جریان اسپینی از یک ماده ی فرومغناطیس به درون نیم رسانا است. یکی از راه های افزایش کارآیی ابزارهای اسپینترونیکی، به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند؛ نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100% در تراز فرمی، گزینه مناسبی برای این منظور هستند. از آن جا که اثرات مرز مشترک، می تواند درجه ی قطبش اسپین...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه سعی شده است برخی از خواص الکترونیکی ساختار ‏‎si/ge‎‏ به صورت نظری محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه گردد. تکنیک به کار رفته در این محاسبات استفاده از روش خودسازگار و نظریه تابعی چگالی در چارچوب شبه پتانسیلهای ابتدا به ساکن می باشد.

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

یکی از ویژگی های اساسی مواد هادی مقاومت الکتریکی آن هاست که با داشتن تعداد الکترونهای آزاد لایه ظرفیت می توان مقاومت الکتریکی آن ماده را پیدا نمود. با اندازه گیری مقاومت الکتریکی مواد می توان ویژگیها و مشخصات ماده را تعیین نمود. در این پایان نامه بنا داریم به اندازه گیری مقاومت الکتریکی با استفاده چهار پراب همراستا با فاصله ثابت از هم که در تماس با سطح یک ویفر سیلیکونی هستند اقدام کنیم. در عم...