در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دار...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

گرافین صفحه ای متشکل از اتم های کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است. به دلیل خواص رسانندگی منحصر به فردی که دارد امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته است .گرافین یک شبه فلز است که در ساختار نوار آن هیچ گاف انرژی وجود ندارد. با بریدن گرافین به شکل نانو نوارهای گرافینی می توان در ساختار نوار گرافین گاف ایجاد کرد. در این تحقیق به دنبال بررسی خاصیت رسانندگی الکتریکی نانونوارهای گرافینی با لبه زیگزا...

در این تحقیق پاسخ نوری یک هندسه اتو در برگیرنده یک ورقه گرافن، در محدوده فرکانس تراهرتز meV 10-0.5 مورد بررسی قرار می گیرد. در این ساختار برانگیختگی پلاریتونهای پلاسمون سطحی بر روی گرافن موجب می شود که در محدوده زاویه های بزرگتر از زاویه بحرانی یک افت قابل توجه در ضریب بازتاب ظاهر شود و شدت نور بازتابیده به یک مقدار کمینه برسد. این پدیده دارای کاربردهای زیادی در ادوات می باشد. موقعیت کمینه ایجا...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

ویژگی‌های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین‌کننده‌ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد‌های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه‌ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانFDTD شبیه‌سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

رضا ثابت داریانی1، مریم هادی طالع2 [email protected] 1استاد فیزیک، دانشگاه الزهرا 2دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک، دانشگاه الزهرا چکیده در این مقاله برای تولید ذرات گرافن از روش لایه برداری الکتروشیمیایی گرافیت استفاده شد. با استفاده از پراش پرتو x ساختار نمونه مورد تایید قرار گرفت. سپس پودر ذرات را توسط یک دستگاه پرس کرده و به صورت قرص در آوردیم. با قرار دادن قرص در یک مدار الکتریکی، نمودار i...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...