در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

مقدمه: هدف از پژوهش حاضر بررسی نظریه ذهن و کنش های اجرایی در بیماران مبتلا به اختلال های وسواسی -جبری ، دو قطبی، اسکیزوفرنی و افراد بهنجار بود. روش: طرح پژوهش حاضر از نوع علّی -مقایسه ای و نمونه آماری شامل 80 آزمودنی بود که از طریق نمونه گیری در دسترس و در4 گروه وسواسی -جبری (20نفر)، اسکیزوفرنی (20 نفر)، دوقطبی (20 نفر) و افراد بهنجار(20 نفر) انتخاب شدند. آزمودنی ها با استفاده از آزمون های باور ...

چکیده مقدمه: هدف پژوهش حاضر مقایسه تمایز یافتگی و انسجام خود در افراد مبتلا به اختلال شخصیت مرزی، افراد مبتلا به اختلال دوقطبی و افراد بهنجار می باشد. روش: پژوهش از نوع علی- مقایسه ای است. نمونه شامل 30 فرد مبتلا به اختلال دوقطبی، 27 فرد مبتلا به اختلال شخصیت مرزی از درمانگاهها و بیمارستان های امام حسین (ع)، طالقانی و لقمان و 30 نفر از جمعیت عمومی استان تهران می باشد که به روش در دسترس انتخاب ش...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

چکیدههدف: پژوهش حاضر با هدف تعیین میزان بروز اختلال های طیف دوقطبی در زنان باردار مناطق روستایی استان اصفهان با بهره گیری از «پرسش نامه اختلال خلقی» و تعیین ارتباط آن با بروز افسردگی پس از زایمان انجام شده است. روش: این بررسی به صورت آینده نگر، بر روی کلیه زنان باردار روستایی زیرپوشش دانشگاه علوم پزشکی و خدمات بهداشتی- درمانی اصفهان که در سه ماهه سوم بارداری بودند، انجام شد. در مرحله نخست، همه ...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

زمینه و هدف: ارتباط عملکرد خانواده با ویژگی های روانی فرد یکی از مهم ترین بحث های خانواده درمانی می باشد. اختلال اسکیزوفرنی و اختلال دوقطبی i نیز از اختلالات شایع بیماران بستری در بیمارستان می باشند لذا در این طرح بر آن شدیم اختلالات عملکرد خانواده را در این دو گروه مقایسه و بررسی کنیم. مواد و روش کار: در این پژوهش موردی شاهدی 50 بیمار مبتلا به اسکیزوفرنی و 50 بیمار مبتلا به اختلال دوقطبی i و ه...