چکیده ندارد.

در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشی...

فیلم های لایه نازک با ساختار نانو از بروموآلومینیوم فتالوسیانین و سرب فتالوسیانین که به روش تفنگ پرتوی الکترونی به ترتیب روی زیرلایه شیشه ای نشانده شدند، تهیه گردید. قطعه ساندویچی  al/bralpc/pbpc/alتحت خلأ  torr  5-10 در آزمایشگاه ما تهیه شد. رفتار الکتریکی قطعات با پیوند ناهمگن در بازه ی فرکانسی  hz105-  102 و در بازه ی دمای k 403 - 303 مورد بررسی قرار گرفت. تمامی اندازه گیری ها در دماهای مختل...

با کوچکتر شدن اندازه قطعات نیمه هادی به کمتر از 100 نانومتر، اثرات مکانیک کوانتومی در کارایی قطعه، خود را نشان می دهد. از اینرو محاسبات مربوط به مشخصه های جریان– ولتاژ ترانزیستور لایه نازک آلی بسیار پیچیده می شود. در این پایان نامه، مدل سازی ترانزیستور لایه نازک آلی با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی انجام شده است. این مدل سازی بر اساس داده های تجربی با بهره گیری از شبکه های عصبی مصنوعی می ...

در این پایان نامه ابتدا انواع آسیب های فیزیکی قطعات نیمه هادی و تئوری های مورد نیاز الکترومغناطیسی برای شبیه سازی و درک بهتر اثر انتشار موج بر روی مدارات الکترونیکی بررسی و ارائه شده است. آنگاه استانداردها و چیدمان آزمایش ها و سیستم های طراحی و ساخته شده برای انجام آزمون های این پایان نامه بیان گردیده است. توسعه شبیه سازی سه بعدی در حوزه زمان به روش fdtd با کدنویسی به زبان فرترن و با استفاده از...

در این پایان نامه، با بهره گیری از ویژگی های ترانزیستورset، ساختار جدیدی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر ساختار folding ارائه می شود و با مقایسه بین ساختار پیشنهادی و ساختارهای پیشین مشاهده می شود که فرکانس نمونه برداری بهبود یافته و از طرف دیگر تلفات توانی و تعداد اجزا به کار گرفته شده در ساختار کاهش چشم گیری داشته است. البته با به کار گیری مدار ترکیبی set/cmos در ساختار پیشنهادی شاهد بهت...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

ویژگی های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین کننده ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانfdtd شبیه سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که ...

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مو...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...