استفاده از حافظه‏ها به عنوان بخشی اساسی از سیستم‏های مدارات مجتمع اجتناب ناپذیر است اما تأثیرات تشعشعات فضایی و تأثیرات الکترومغناطیسی بر این سیستم غیر‏قابل چشم‏پوشی است. در یک دسته‏بندی کلی تأثیر تشعشعات را می‏توان به دو دسته تقسیم کرد: دسته اول ناشی از برخورد ذرات مانند الکترون هاست که اثرات فرسایشی بر روی این مدارات دارد و در اصطلاح به آن اثرات یونیز کننده جمع شونده (total ionizing dose) می‏...

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

در این پایان نامه بلوک مبدل dc-dc برای تگ پسیو rfid طراحی شده است. مبدل dc-dc پیشنهادی، دارای نسبت تبدیل ولتاژ بالا و سطح تراشه کوچکی می باشد. مدار پمپ شارژ با گیت کنترل شونده نوعی مبدل dc-dc است که در هر طبقه شامل یک سوئیچ انتقال شارژ nmos می باشد. برای کنترل دینامیکی ورودی سوئیچ انتقال شارژ از دو ترانزیستور nmos و pmos استفاده می شود. در حالت پایدار ترانزیستورهای سوئیچ انتقال شارژ در ناحیه زی...

عمل جذر یکی از مهمترین عملیات محاسباتی در کامپیوتر رقمی است . در پردازنده های جدید لازم است این عمل به صورت سخت افزاری پیاده سازی شود. آزمون پذیری و قابلیت گسترش دو مساله عمده در طراحی مدارهای محاسباتی vlsi است . در این پایان نامه دو طراحی برای پیاده سازی عمل جذر با روش غیر بازیافتی با قابلیت گسترش ارائه شده است . در طرح اول با استفاده از تنها یک بلوک و در طرح دوم با کمک دو بلوک مدار جذر گیرنده...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

در این تحقیق اثر محتوای رطوبتی بر روی پارامترهای عامل کاهیدگی و تأخیر زمانی برای دیوار بدون عایق و دیوار عایقکاری شده بررسی شد. نتایج نشان داد که درصد رطوبت مصالح ساختمانی تأثیر چشمگیری بر رفتار حرارتی جداره دارد. ضخامت بهینه عایق حرارتی جداره برای سه حالت، عایق داخلی، عایق میانی و عایق خارجی تحت شرایط رطوبتی مختلف محاسبه گردید. بررسی¬ها نشان داد که ناچیز فرض نمودن اثرات رطوبت می¬تواند خطای چشم...

صنایع نفت و گاز به دلیل پدیده خوردگی در سیستم های مکانیکی خود، متحمل هزینه های زیادی می شوند. یافتن روش هایی برای تعیین زمان خوردگی، می تواند در سه بعد اقتصادی، ایمنی و کاهش ضایعات تأثیرگذار باشد. در این تحقیق روش آزمون جریان گردابی گذرا به عنوان یک روش آزمایش غیر مخرب خوردگی لوله های گاز غیر مدفون پیشنهاد شده و قابلیت های این روش در تعیین و تشخیص خوردگی در لوله های گاز، بدون نیاز به جدا کردن ع...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...