در این نامه به طراحی گیت های منطقی ‏and‏ ، ‏or، ‏not، سوییچ و ترانزیستور ‏تمام نوری ‏ با دقت و قابلیت اطمینان ‏ بسیار بالا، ابعاد کم و مصرف توان پایین با استفاده از کریستال های فوتونی ‏ دو بُعدی پرداخته شده است. برای بررسی حالت دائمی ساختارها از روش تفاضل متناهی ‏در حوزه زمان ‏ (‏fdtd‏) و برای به دست آوردن دیاگرام باندی ساختارها از روش بسط موج تخت ‏ ‏‏(‏pwe‏) استفاده شده است. همچنین برای به دست ...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

در انبوه سازی استفاده از سیستم بتنی قالب تونلی مزایای قابل توجهی عرضه می کند، با وجود بهره گیری از مصالح و تجهیزات مدرن در انبوه سازی و مشکلات اساسی در سیستم سنتی، هنوز سیستم های ساخت وساز عمدتاً سنتی است. تا به حال معیارهای انتخاب سیستم ساخت به صورت کلی بوده است. در این تحقیق، در پی مطالعات کتابخانه یی و میدانی و مقایسه ی جامع بین دو سیستم ساخت، ۲۳ معیار بر پایه ی زمان، هزینه، و کیفیت شناسایی ش...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

ویژگی های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین کننده ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانfdtd شبیه سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که ...

در این مقاله مشخصه های پهنای نوار مدولاسیون لیزر نقطه کوانتومی ingaas/gaas به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از روش رانگ کوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل ها، دما، چگالی جریان بر مشخصه های لیزر های نیمه رسانای نقطه کوانتومی تزریق تونلی (til)1 و بدون تزریق تونلی (cl)2 بررسی شده اند. نتایج نشان می دهند که تزریق تونلی در لیزر های نقطه کوانتومی م...

هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

نهان¬نگاری تصاویر در حوزه dct مخصاوصا برای تصاویر رنگی با وضوح بالا که کاربرد آن¬ها نیز رشد پیدا کرده، دارای پیچیدگی محاسباتی بالایی می¬باشد. بدین جهت، در این پایان¬نامه، یک الگوریتم نهان¬نگاری dct برای تصاویر رنگی انتخاب و اصلاح می¬شود و روی fpga و gpu پیاده¬سازی می¬شود تا زمان اجرای آن کاهش یابد. برای پیاده¬سازی روی fpga، یک سیستم نهان¬نگاری سخت افزاری و برای پیاده سازی روی gpu، یک الگریتم نه...