نتایج جستجو برای: اثر اسپین مدار راشبا

تعداد نتایج: 153654  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1380

ادوات الکترونیک قدرت با توجه به سرعت بالا و نیز قیمت پایین جای ادوات مکانیکی را در جبران سازی خط انتقال گرفته اند. در این پژوهش ابتدا مروری بر مبانی انتقال توان در خط انتقال انجام شده و بعد از آن ساختمان و عملکرد ‏‎sssc,statcom,vsi‎‏ و در نهایت ‏‎upfc‎‏بحث و بررسی شده است . همچنین نحوه مبادله توان در ادوات فوق تشریح شده و حالت های کار مختلف ‏‎upfc‎‏معرفی و معادلات آنها استخراج شده است . در مورد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

در این پایان نامه ابتدا مبانی انتشار موج را در موجبرهای مختلف تخت و استوانه ای بدون در نظر گرفتن اثر غیرخطی مورد بررسی قرار داده ایم و سپس اثر الکترواپتیکی خطی را در مواد ناهمسانگرد بیان و در پی آن اثر نورشکستی را در این مواد بررسی کردیم. در ادامه گذر کوتاهی نیز بر معادلات حاکم بر مواد نورشکستی بر پایه دو مدل تک فوتونی و دوفوتونی داشتیم. سپس به بیان تاریخچه ای از سالیتون های نوری پرداختیم و در ...

محمد حاتمی, هادی هاشمی زرینی وحید صادقی فیروزآبادی

این پژوهش به بررسی اثر بخشی اجتماع درمان مدار، بر تغییر سبک اسناد معتادان می پردازد. بدین منظور، دو گروه آزمایش و کنترل انتخاب شدند. گروه آزمایش شامل 25 نفر از افرادی که در مرکز اجتماع درمان – مدار هجرت تهران اقامت داشتند و گروه کنترل شامل 28 نفر که از مرکز ترک اعتیاد شهید فامیلی تهران بودند که با پر کردن پرسشنامه سبک اسناد، در این پژوهش شرکت کردند. به منظور تعیین اثر بخشی اجتماع درمان مدار بر ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1387

چکیده ندارد.

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1388

قطعات جوزفسون که متشکل از قطعات در حالت ابررسانا می¬باشد، ویژگیهای بسیاری از جمله در الکترونیک دارند. از جمله، حساسیت بسیار بالا به میدان¬های مغناطیسی بسیار ضعیف (مانند مغز و زمین) فرکانس تونل¬زنی در حد گیگا هرتز که آن را از دیگر قطعات مشابه خود متمایز می¬سازد و اهمیت بررسی آن را بر ما آشکار می¬کند. نخستین بار برایان دیوید جوزفسون، اثر جوزفسون را پیشگویی و محاسبه کرد و پس از مدتی تمام آن پیشگوی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1399

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی زنجان 0
سعید مرتضوی s mortazavi نغمه کار گذار n kargozar

چکیده زمینه و هدف: حساسیت کار پرستاران، اضطراب در شغل و مراقبت از بیماران، لزوم رفتار داوطلبانه فراتر از نقش در بین آن ها را در قالب رفتار شهروندی مشتری مدار برجسته می سازد. در این راستا این تحقیق بر آن بود که به آزمون اثر عمده ترین عوامل مؤثر بر بروز رفتار شهروندی مشتری مدار پرستاران بپردازد. روش بررسی: در این مطالعه مقطعی، داده ها با استفاده از پرسشنامه از 198 پرستار در بیمارستان امام رضا (ع)...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید