در سال های اخیر آنتن یاگی یودا چاپ شده بر روی برد مدارچاپی به طور گسترده ای مورد بررسی قرار گرفته است. این نوع آنتن ها بدلیل خواص تشعشعی مناسب و پهنای باند وسیع در بسیاری از کاربردهای سیستم های مخابراتی مانند رادارهای پیشرفته، شبکه های مخابرات بیسیم و آرایه ها مورد استفاده قرار گرفته اند. در این پایان نامه یک آنتن شبه یاگی ریزنوار با استفاده از زیر لایه با ثابت دی الکتریک پایین طراحی، شبیه سا...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (spr) با استفاده از نظریه ی مای و نرم افزار fdtd مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می شود. هم چنین...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در سال های اخیر استفاده از edm برای تولید پودر در ابعاد فوق ریز ( میکرو و نانو ) توجه پژوهشگران را به خود جلب نموده است. استفاده از این روش برای تولید پودر از مزایای قابل توجهی برخوردار است که هزینه تولید پایین , عدم پیچیدگی در پیاده سازی و کنترل مناسب بر سایز و توزیع ذرات تولید شده از جملهً این مزایا می باشند. روش های غالب فعلی برای تولید پودر , روش های شیمیایی می باشد که این روش ها عمدتاً روش...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

ماکرومولکول های زیستی دارای ضریب دی الکتریک کوچک هستند که در محیط های آبی، با ضریب دی الکتریک بزرگ، حل شده اند. وجود این ناهمگنی ضریب دی الکتریک در مرز ماکرومولکول و آب، در برهمکنش های الکتروستاتیک اثر دارد. در این پایان نامه برای به دست آوردن برهمکنش های الکتروستاتیک در حضور ناهمگنی ضریب دی الکتریک، از روش تابع گرین استفاده می کنیم و تابع گرین را برای یک کره ی دی الکتریک، یک استوانه ی دی الکتر...

چکیده ندارد.

چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

از آنجایی که اندازه گیری میدان نزدیک به صورت داخلی انجام می شود و این روش تست آنتن های بزرگ را در محیط کنترل شده ممکن می کند، این روش اندازه گیری مورد توجه قرار دارد. در این پژوهش اندازه گیری یک آنتن به روش میدان نزدیک صفحه ای شبیه سازی شده است. آنتن تحت آزمایش یک آنتن بوقی دایروی باند x است. برای شبیه سازی از برنامه ی cst microwave studio استفاده شده است. ابتدا از سه پروب موجبری انتهاباز با اش...