نتایج جستجو برای: گاف هومو
تعداد نتایج: 1236 فیلتر نتایج به سال:
تونل زنی کوانتومی در دهه های گذشته مورد توجه زیادی قرار گرفته است. تعداد قابل توجهی از مطالعات بر روی مدت زمانی است که ذره برای عبور از سد پتانسیل سپری می کند.اثر هارتمن بیان می کند که برای سدهای ضخیم زمان تاخیر گروه مستقل از طول سد است که در نهایت به سرعت تونل زنی سوپرلومینال منجر می شود. در این پایا نامه ،اثر هارتمن در گرافین تک لایه در دو حالت بدون گاف و گاف دار و همچنین یک سیستم ترکیبی از گ...
در این مطالعه، نانو ذرات پالادیم قرار گرفته بر روی آگارز بعنوان یک بستر طبیعی ارزان و در دسترس، طراحی شد. از این کاتالیزور در واکنش مهم و پر اهمیت تشکیل پیوند کربن-کربن آریل هالیدهای مختلف استفاده شد. سنتز آسان و ارزان و همچنین پایداری بالای این کاتالیزر، آن ها را از سایر لیگاندها گزارش شده برای این واکنش ها متمایز می کند.برای شروع¸کاتالیست مورد نظر را در مقیاس گرمی ساخته و برای شناسایی آن از ت...
در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم درسرامیک درفاز تتراگونال محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهeV5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...
در این تحقیق، ما برای اولین بار کاربرد 1،3،2،4-دی آزا دی فسفتیدین ها (l1-l4) را برای تشکیل پیوندهای کربن-کربن از طریق واکنشهای هک، سوزوکی، سوناگاشیرا و هومو کاپلینگ بررسی کردیم. نکته بارز در مورد این ترکیبات توانایی آنها در عمل کردن هم به عنوان لیگاند از طریق سایتهای فسفری موجود در آنها و هم به عنوان باز از طریق سایتهای نیتروژن دار خود در واکنشهای شیمیایی است. ما امکان استفاده از این لیگاندها ...
در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...
بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بالا بجای الکترونهای کند برای انتقال اطلاعات استفاده می شود. در طراحی وساخت بلورهای فوتونی از انواع مختلف مواد اعم از دی...
در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...
موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...
یکی از آثار اپتیکی غیر خطی بس ذرهای استتار پلاسمایی است. یکی از پیامدهای این اثر اپتیکی غیر خطی کاهش باند گاف در اثر فرآیندهای تبادل و همبستگی است.
بلورهای نوری ساختارهای متناوبی هستندکه خواص اپتیکی گوناگونی را از خود نشان می دهند. وجود لایه های متناوب ضریب شکست، موجب حضور نوارهای ممنوعه برای فرکانس های خاص شده وفرکانس های مختلف نیز با موج های مختلف انتشار پیدا می کنند. از این رو بلورهای فوتونی قابلیت تغییر راستای انتشار نور را نیز از خود به نمایش می گذارند که با کنترل آن می توان به ضریب دست یافت. این پدیده که اخیراً مورد توجه زیادی قرارگرف...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید