نتایج جستجو برای: گاف اپتیکی
تعداد نتایج: 2619 فیلتر نتایج به سال:
چکیده لایه¬های نازک بروموایندیوم فتالوسیانین با استفاده از روش لایه نشانی پرتو الکترونی بر روی زیرلایه پلی¬بروسیلیکت ساخته شد. نمودارهای چگالی جریان برحسب ولتاژ به منظور بررسی خواص الکتریکی dc مورد بررسی قرار گرفت. به این منظور قطعه ساندویچی cu/brinpc/cu با ضخامت¬های 50نانومتر برای الکترودهای مس و 95نانومتر برای بروموایندیوم فتالوسیانین ساخته شد. بررسی چگالی جریان برحسب ولتاژ در تاریکی و تحت...
در این پایان نامه اثر جانشینی لیتیم با هیدروژن بر خواص کشندگی پیوندی و اپتوالکترونیکی آلانین با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. از جمله خواص مورد مطالعه می توان به ساختار نواری، چگالی ابر الکترونی، چگالی حالت ها، خواص دی الکتریک، تابع اتلاف، هدایت اپتی...
هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...
نیمه رسانای سولفید روی zns، از مهم ترین نیمه رساناهای ترکیبی گروه ii-vi است. zns دارای گاف نواری مستقیم و پهن است که در دمای اتاقev 68/3 می باشد، شعاع بوهر اکسیتون آن کوچک وnm 5/2 است. از نظر تکنولوژی نیز نیمه رسانای مهمی است وکاربردهای مختلفی از قبیل قطعات اپتو الکترونیکی، دیودهای گسیل کننده نور، قطعات الکترولومینسانس، سلول های فوتو ولتاییک، پنجره های فروسرخ ، سلول های خورشیدی ، حوزه های فوتوک...
در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسیدروی آلاییده با قلع (zno:sn) و سولفیدروی (zns) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. در بخش اول تاثیر درصد ناخالصی قلع(sn) بر روی خواص ساختاری، اپتیکی، الکتریکی، ترموالکتریکی و فوتورسانشی لایه های نازک zno بررسی شد. برای ناخالص سازی از کلرید قلع (sncl2) با نسبت های مولی مختلف در محلول اولیه استفاده شد. در تهیه محلول ناخالصی، ...
سیلیکان si از جمله نیمه رساناهایی است که کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارد اما همین عنصر به علت داشتن گاف غیرمستقیم ، دارای خواص ضعیف اپتیکی بوده و جایگاهی در کاربردهای اپتیکی ندارد.یکی از راههایی که می توان بدان طریق در سیلیکان خواص اپتیکی بوجود آورد، کوچک کردن ساختار si است، به حدی که اثرات کوانتومی در ساختار نواری آن بکار آید. به این ساختار ، سیلیکان متخلخل ps گفته می شود . لای...
هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی بلور فتالوسیانین (c32h18n8) در فاز مونوکلینیک، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی طلا ازعناصر واسطه (بصورت c32h16n8au) می باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده ی خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) با کد wien2k استفاده شده است. بطور کلی محاسبات حاضر نشان می دهد که افزودن ناخالصی گاف انرژی را کاهش داده اس...
بررسی ساختار نواری نیمرسانای 2h-sic با استفاده از برنامه شبیه ساز ابی نت و تعیین پارامترهای جرم موثر، انرژی گاف و فاصله بین دره ها برای شبیه سازی خواص ترابرد الکترون در میدان های الکتریکی شدید؛ همچنین محاسبه آهنگ پراکندگی الکترون در اثر فونون های اپتیکی و آکوستیکی و همچنین وجود ناخالصی های یونیزه.
در این تحقیق بررسی از ویژگی های ساختاری، الکترونی و اپتیکی نانو ورقه های دو بعدی گرافین مانند اکسیدروی آلاییده شده با اتم ناخالصی بور با استفاده از بسته محاسباتی پتانسیل کامل fhi-aimsدر چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. اکسیدروی یک کاندید اصلی برای کاربرد در دستگاه های اپتیکی مانند سلول های خورشیدی و دستگاه های لیزر حالت جامد و ... است. بنابراین آگاهی درباره خواص اپتیکی آن، در طراحی و آنا...
گوگرد و روی دو عنصر مهم درصنعت هستند. سولفیدروی یک رسانای ترکیبی است که به صورت دو ساختار ورتزیت و اسفالریت متبلور می شود. ساختار اسفالریت یا مکعبی آن در دمای اتاق (k300) دارای گاف انرژی بزرگ وثابت شبکه ی است. به واسطه ی مقدار گاف انرژی بزرگ این نیم رسانا و خواص اُپتیکی آن در ساخت قطعات وابزارهای مختلف الکترونیکی کاربرد وسیعی دارد. در این پایان نامه با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی و کد wien2...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید