نتایج جستجو برای: چگالی حالت های جایگزیده فوتونی

تعداد نتایج: 489488  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1393

از آن جایی که فرآیند دیدن با تحریک گیرنده های فوتونی در شبکیه توسط نور آغاز می شود‏‏، انرژی فوتونی که به چشم برخورد می کند‏ باید به اندازه ی کافی زیاد باشد‏‏، در صورت کافی نبودن آن‏، به انرژی گرمایی هم نیاز خواهد بود. دو نوع گیرنده ی فوتونی در شبکیه وجود دارند که هر کدام به طول موج خاصی از نور حساس می باشند‏. با استفاده از روابط تئوری و تجربی که ارائه شده است‏، به بررسی حساسیت این گیرنده های فو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1388

بررسی های به عمل آمده با استفاده از روش بستگی قوی روی خواص الکترونی نانونوارهای گرافینی از جمله ساختار نواری و چگالی حالتها بدون درنظرگرفتن اثرتغییر حالتهای لبه ای، نشان داده است که نانونوارهای گرافینی از نوع زیگزاگ رفتاری فلزی همراه با حالتهای جایگزیده روی لبه های نوار داشته ، در حالی که نانونوارها ازنوع آرمچیرمی توانند، بسته به مقدار پهنای نوار، رفتاری فلزی یا عایق داشته باشند. دراین تحقیق، ب...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
ندا داداشی n dadashi حسین صفری h safari سعداله نصیری s nasiri

دراین مقاله اثرات چگالی غیر یکنواخت طولی، بر روی وجوه نوسانی کینک در حلقه های تاج خورشید بررسی شده است. در این جا با فرض یک رفتار نمایی برای چگالی طولی، معادله تحول حل شده و یک رابطه پاشندگی تحلیلی استخراج شده است که در توافق با محاسباتی است که توسط اندریس و همکاران 2005 به صورت عددی انجام شده است. درحضور چگالی غیر یکنواخت، اثرات ارتفاع مقیاس منفی چگالی و جرم کل لوله، بر فرکانسها و نسبت آنها بر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1390

این تحقیق با هدف بررسی خواص فونونی و گرمایی نانو ساختارها از جمله طیف بسامد فونونی، چگالی حالت های فونونی، ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی انجام شده است. روشی که به کار برده می شود، روش ماتریس انتقال است. محاسبات در تقریب هماهنگ و با در نظر گرفتن اثر همسایه ی نزدیک انجام شده است. مطلب ابتدا با نانو ساختارهای یک بعدی آغاز شده، خواص فونونی و گرمایی زنجیره های اتمی در شرایط مختلف مورد بررسی قرا...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
صمد روشن انتظار عبدالرحمن نامدار اله کرم مرعشی نسب

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

در سال‌های اخیر، مواد نوری UC Up-conversionتوجه بسیار زیادی را در زمینه‌های مختلف نظیر شناساگرهای پزشکی، سلول‌های خورشیدی، سنسورهای حرارتی و شیمیایی و ... به خود جلب کرده‌اند. این مواد قابلیت جذب تشعشعات کمانرژی و درنهایت گسیل تشعشعاتی با انرژی بالاتر از طریق فرآیند نوری غیر‌خطی دارند. مکانیزم‌های فرآیند Up-conversion شامل سه نوع اصلی جذب از حالت تهییج‌یافته ESA ، انتقال انرژی UC ETU و بهمن فوت...

هر ساله با وقوع سیلاب در رودخانه ها تعداد زیادی از آبشکن ها درست زمانی که بیشترین نیاز به آنها وجود دارد، تخریب می گردند. یکی از موثرترین عوامل تخریب آبشکن ها، آبشستگی موضعی اطراف آنها است. احداث آبشکن باعث ایجاد تنگ شدگی مسیر جریان شده که این موضوع باعث افزایش سرعت جریان در نزدیکی سازه و افزایش سرعت متوسط در مقطع تنگ شده آبراهه می گردد. افزایش سرعت متوسط باعث ایجاد آشفتگی و گردابهای نعل اسبی د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی 1393

پس ازکشف گرافین و خواص منحصر به فرد آن گروه¬های تحقیقاتی، هم در زمینه آزمایشگاهی و هم نظری جذب این ماده شدند. در راه استفاده از گرافین با یک سریمشکلات مواجه می¬شویم که یک راه مرسوم برای حل آن عاملدار دار کردن است. در این مطالعه هیدروژن دار کردن انتخاب شده است. محاسبات انجام شده با روش نظریه تابعی چگالی نشان می¬دهد گرافین به طور کامل هیدروژن دار شده که با نام گرافان شناخته شده است یک نیمه هادی ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم 1393

بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شده در حالت های مختلف است

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید