نتایج جستجو برای: پراکندگی الکترونها
تعداد نتایج: 7823 فیلتر نتایج به سال:
هدف ما در این پایان نامه، بررسی وابستگی انرژی کاسیمیر به میزان زبری سطوح تخت موازی می باشد. برای این بررسی از شبیه سازی مونت کارلو و مدل رشد mbe در فضای 2+1 بعدی استفاده کرده ایم. به این صورت که با استفاده از مدل رشد mbe فصل مشترک سطوح تخت زبر را شبیه سازی کرده و مقیاس بندی دینامیکی آن ها را آنالیز کرده ایم. سپس مقادیر انرژی کاسیمیر را با قرار دادن دو صفحه ی زبر شده در فواصل مختلف و با استفاده ...
سیمواستاتین با نام تجاری zocorدارویی است که به طور گسترده در درمان هایپرکلسترولمیا استفاده میشود. سیمواستاتین دارای میزان انحلال در آب ضعیفی است که سبب کاهش بهره درمانی آن می شود، رفتارحلالیت داروهای کی ازجنبه های چالش برانگیزدرتوسعه فرمولاسیون باقیمانده است. در این مطالعه پراکندگیهای جامد سیمواستاتین با استفاده از حاملهای مختلف شامل بتا سیکلودکسترین، مانیتول،pvpk30، peg 400,1000,4000,6000 ،c...
مطالعه خواص ترابرد الکترونی در ترانزیستور ماسف با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو تحت تاثیر میدانهای الکتریکی بالا.با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو که یک روش آماری می باشد تادادی از الکترونها را در فضای فاز در نظر گرفته و حرکت آنها را در شرایطی که میدان نیز اعمال کرده ایم بررسی میکنیم.به طوری که حرکت ذرات در هر لحظه با حل معادله بولتزمن انجام میشود
در این پژوهش جفت شدگی غیر خطی امواج لانگمیر فرکانس بالا با امواج غبار صوتی فرکانس پایین در یک پلاسمای غیر مغناطیسی که شامل الکترونها و یونها و ذرات غبار می باشد را بررسی می کنیم این برهم کنش سبب ایجاد یک پوش سالیتون می گردد که این پوش تولید شده در یک چاه چگالی که کاویتون نامیده می شود به دام می افتد. اثرات رفتار توزیعهای مختلف روی تشکیل پوش سالیتون و کاویتونها بسیار اهمیت دارد
معادله پاشندگی امواج الکترومغناطیس عرضی دریک پلاسمای الکترون –پوزیترون مغناطیده بدست آمده است. الکترونها و پوزیترونها میتوانند باسرعتهای سوقی متفاوت در راستای یک میدان مغناطیسی خارجی حرکت کنند. حل تحلیلی معادله پاشندگی نشان میدهد ناپایداری وایبل دراین سیستم پلاسمایی رشد خواهد نمود و با افزایش قدرت میدان مغناطیسی از آهنگ رشد ناپایداری کاسته خواهد شد. نتایج این تحقیق، برای فهمیدن منشاء میدان مغنا...
Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet. In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...
در این مقاله پراکندگی رامان پسرو با استفاده از کد ولاسوف یک بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. شرایطی شبیه به آزمایش های انجام شده در این زمینه برای بررسی چگونگی تشکیل و رشد پراکندگی رامان مورد استفاده قرار گرفته است. مطالعه تابع توزیع الکترون ها، میدان های الکتروستاتیکی طولی و الکترومغناطیسی عرضی، و چگالی الکترون ها نشان می دهد که پراکندگی رامان که به دلیل اثرات جنبشی ایجاد شده با تقویت دامنه می...
یکی از ناهنجاری های بازار سرمایه، ناهنجاری اقلام تعهدی است. دو دیدگاه رفتاری و دیدگاه انتظارات عقلایی در تشریح این نابهنجاری معرفی شده است. در دیدگاه انتظارات عقلایی (دیدگاه مبتنی بر ریسک و رشد)، تغییرات نرخ تنزیل به عنوان یکی از معیارهای بروز ناهنجاری در اقلام تعهدی مطرح می شود. از طرفی پراکندگی بازده بالا نیز متاثر از نرخ تنزیل بالا بوده و بر رشد و سرمایه گذاری تاثیرگذار است. بنابراین این ادع...
آزمایشها نشان داده است که پارامتر نظم(گاف) در ابر رسانهای دمای بالاتر کاپریت تقارون موج d از خود نشان میدهد. چرا که در چهار نقطه گره ای بر روی سطح فرمی صفر میشود نزدیک هریک از این جهار گره گافی شبه ذرات به سادگی بر انگیخته میشود و بیشتر شبیه به ذرات نسبیتی بدون جرم رفتار می کنند تا الکترونها در یک فلز.در این تز ما خواص ترابرد در این شبه ذرات گرهی را مطالعه میکنیم و برای نتایج آزمایشهای دمای پای...
در این پایان نامه انتقال ناهمدوس در دستگاه های در مقیاس نانو بوسیله ی فیزیک کوانتومی مدل سازی شده است. ما روشی را برای بررسی و محاسبه ی مشخصه ی جریان-ولتاژ نانوساختارهایی که به دو هدایتگر فلزی متصل شده اند، با درنظر گرفتن برهم کنش الکترون-فونون بیان می کنیم. روش مورد مطالعه، جریان عبوری از ناحیه ی برهم کنشی را بر اساس فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی بررسی می کند. فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید