دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

آینه های فلزی، نور را در یک گستره ی وسیع از فرکانس ها به ازای هر زاویه ی اختیاری بازتاب می کنند ولی این آینه ها به علت جذب به ویژه در فرکانس های فروسرخ و نوری، اتلافی بوده و مطلوب نیستند، به همین دلیل دانشمندان استفاده از آینه های دی الکتریک چندلایه ای را به آینه های فلزی ترجیح می دهند. آینه های دی الکتریک چندلایه ای گستره باریکی از فرکانس فرودی را در یک زاویه ی مخصوص یا گستره ی زاویه ای مخصوص ...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

در این تحقیق ولتاژ شکست عایق های گازی خالص در میدان های یکنواخت، نسبتاً غیر یکنواخت و غیر یکنواخت مورد بررسی قرار گرفته است و عواملی چون نوع میدان، فاصله هوایی، فشار گاز، جنس الکترود، تاثیر ناهمواری و انحنای سطح الکترود بر ولتاژ شکست و نیز اثر پوشش اضافی در بهبود وضعیت ولتاژ شکست مطالعه شده است. در این پایان نامه، با استفاده از نرم افزار ansys که مبتنی بر تیوری اجزای محدود می باشد، یک شیوه جدی...

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...

چکیده ندارد.

در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

در این مقاله، یک مدل انتشار موج جدید بر پایه utd برای مسیرهای با پراشهای چندگانه در مخابرات رادیویی موبایل سلولی و محیطهای شهری پیشنهاد می گردد. علاوه بر این، روابط جدید دقیقی برای محاسبه افت پراشهای چندگانه توسط ساختمانها و افت اضافی مسیر استخراج شده و تحلیل می گردند. برای این منظور، فرض می کنیم که ردیفهای ساختمانها دارای سطح مقطع های مستطیلی بوده و ارتفاعها و فواصلشان از همدیگر یکسان است. همچ...