سعید حوی از سلفیان سوری است که گرایش‌های صوفیانه دارد. او عضو اخوان‌المسلمین و یکی از رهبران آن در سطح ملی و بین‌المللی است. حوی در مدرسه‌ای سلفی آموزش دید؛ اما معلم او مرشدی از صوفیان بود. محیط آشوب‌ناک خاورمیانه، به‌ویژه سوریه، فلسطین و مصر، او را به‌شدت متأثر ساخت. وی برای برون‌رفت از این وضعیت اسف‌بار، پروژه خود را تصوف سلفی قرار داد. هدف او جمع میان تصوف و سلفی‌گری و ایجاد هماهنگی میان دو ...

در این تحقیق تجربی ریخت شناسی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار اکسید مس خالص (cuo) و ساختار پیوندگاهی ناهمگون cuo/zno:al رشد داده شده به روش افشانه تجزیه حرارتی را مورد بررسی قرار داده¬ایم. برای مشخصه یابی فیزیکی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis و اندازه گیری جریان - ولتاژ و همچنین اثر سیبک استفاده کرد...

در این تحقیق مدلی ساده از یک ساختمان سه طبقه با ستونهای کج در طبقه اول ارائه گردیده است. کفها صلب فرض گردیده و توسط فنرهای دورانی ارتجاعی-خمیری و نیز میراگرهای دورانی-خطی به ستونهای بدون جرم و دارای صلبیت محوری متصلند. مدل در نظر گرفته شده تحت مولفه های افقی و قائم ناشی از پالس عمود بر گسل با بزرگاها و اختلاف فازهای گوناگون قرار گرفته و معادلات دیفرانسیل غیرخطی حاکم بر آن به روش رانگ کوتای مرتب...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

در این تحقیق، خواص نوری و الکترونی فولرن -پلیمرهای ناهمسان به عنوان مدلی برای سلول های خورشیدی آلی در فاز گازی و حلال مورد بررسی قرار گرفت. پلیمرهای(2d( (1d)و (3d) به عنوان دهنده و c60، c70، pc60bm و pc60be به عنوان پذیرنده استفاده گردیدند. در این مطالعه سطوح انرژی، شکاف homo-lumo و انرژی بازآرایی توسط نظریه تابعیت چگالی (dft) بدست آمدند. نظریه dft وابسته به زمان (tddft) برای محاسبه خواص نوری آ...

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

چکیده صنعت حمل و نقل ریلی در چند سال گذشته مورد توجه ویژه قرارگرفته و مقرر شده در برنامه پنجم توسعه کشور میانگین احداث خطوط جدید که در ده سال گذشته بطور متوسط 150 کیلومتر بوده است به 1000 کیلومتر در سال افزایش یابد. افزایش طول خطوط راه آهن کشور مستلزم افزایش تعداد ناوگان ریلی به سطحی متناسب با توسعه خطوط خواهد بود. به همین منظور لازم است از هم اکنون تدابیری برای تجهیز توان صنعتی در بخش ساخت ناو...