نتایج جستجو برای: مدل گامل پون ترانزیستور

تعداد نتایج: 120308  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بیرجند - دانشکده مهندسی 1389

تشخیص عیوب، خطاها در مراحل اولیه و خطاهای توسعه یافته ی درایوهای الکتریکی توسط پایش شرایط آن ها امکانپذیر است. عیوب درایو موجب تغییر در شرایط کار عادی آن نمی شوند ولی بر اثر تکرار و شدت یافتن باعث کاهش عمر مفید و نهایتاً منجر به خرابی آن می شوند. هدف این رساله ارائه ی روشی جدید برای تشخیص برخی عیوب درایو موتور سنکرون مغناطیس دائم شامل افزایش مقاومت اتصال و قطع و وصل لینک dc، خطای اتصال کوتاه ترا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1392

سلول خورشیدی فیلم نازک inpیکی از بهترین انتخاب¬ها برای تبدیل انرژی خورشید به الکتریسیته می¬باشد؛ به دلیل ثابت جذب بالای این نیمه‏هادی( تقریبا? )،شکاف انرژی مستقیم ، مقاومت تابشی بالا و دمای تابکاری کم از بهترین گزینه‏ها در کاربردهای فضایی محسوب می‏شود. در این پایان نامه برای شبیه¬سازی از مدل نفوذ-رانش یک بعدی استفاده شده است. معادلات نفوذ-رانش به روش عددی گامل به کمک نرم¬افزارهای matlab و silva...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1394

سیستمها برای سالیانی با استفاده از تکنولوژی cmos طراحی و تولید شده اند، با بهبودهایی که در فرایند ساخت بوجود آمد طراحی ها توانستند به راحتی در نواحی کوچکتری مقیاس شوند. برای افزاره های cmos با طول گیت زیر 100 نانومتر قابلیت تغییرپذیری شدید افزاره ها معرفی و به عنوان اصلی ترین موانع طراحی مدارات آنالوگ نسل جدید شناخته شد. هندسه کوچک افزاره ها، علاوه بر مجتمع سازی انبوه ترانزیستورها، توانایی طراح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1394

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1348

هدف از این پروژه طرح و ساخت یک واحد محاسباتی کامپیوتر دیجیتال است . کاربرد این واحد محاسباتی برای نشان دادن اصول کار سیستم های محاسباتب کامپیوتر دیجیتال در آزمایشگاه جهت آموزش میباشد. بعنوان مثال اصول انجام چهار عمل اصلی با اتصالات مناسب و یا سرعت های مختلف بوسیله این سیستم قابل نشان دادن است . این اعمال میتواند برای اعداد دودوهی تا حداکثر شش رقمی انجام شود و قابل توسعه برای اعداد بیش از شش رقم...

Journal: : 2021

اثرات ویرانگر بلایای طبیعی، اهمیت لجستیک و برنامه‌ریزی منابع انسانی را در مراحل قبل بعد از بحران نشان می‌دهد. هنگام بروز به ‌منظور امدادرسانی سریع، شبکه سلسله ‌مراتبی سلامت که شامل درمانگاه‌ها بیمارستان‌ها است، فعال می‌شود. این پژوهش با استفاده مدل ریاضی مختلط عدد صحیح درنظرگرفتن موقعیت فعلی درمانگاه‌ها، مکان‌های بهینه‌ای عنوان «مراکز درمان موقت» تعیین نحوه تخصیص بهینه مصدومان ناحیه‌های شهری مر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1390

مطالعه خواص ترابرد الکترونی در ترانزیستور ماسف با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو تحت تاثیر میدانهای الکتریکی بالا.با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو که یک روش آماری می باشد تادادی از الکترونها را در فضای فاز در نظر گرفته و حرکت آنها را در شرایطی که میدان نیز اعمال کرده ایم بررسی میکنیم.به طوری که حرکت ذرات در هر لحظه با حل معادله بولتزمن انجام میشود

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1381

در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1392

در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دار...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید