نتایج جستجو برای: مدل تک متغیره لایه نازک
تعداد نتایج: 161515 فیلتر نتایج به سال:
�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...
لایه کاتالیست اغلب نازک ترین لایه در پیل سوختی است، اما به خاطر چند فازی، تخلخل و واکنش های الکتروشیمیایی پیچیده ترین قسمت است. عملکرد پیل سوختی غشا تبادل پروتون شدیدا متأثر از عملکرد لایه کاتالیست کاتد است. در این تحقیق یک مدل یک بعدی، دما ثابت و پایا با ساختار کلوخه ای برای لایه کاتالیست کاتد در نظر گرفته شده و توسعه یافته است. پس از نوشتن معادلات حاکم لایه کاتالیست، معادلات دیفرانسیلی برای م...
لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل
با توسعه ریزفناوری میکروماشینکاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کردهاند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...
زمین لرزه به عنوان یک پدیده تاثیرگذار طبیعی در ایجاد تغییرشکل های پوسته ای زمین همواره مورد توجه ژئودزین ها بوده است. در سالهای اخیر گروه جدیدی از این رویدادها تحت عنوان زمین لرزه های تدریجی شناسایی شده اند که در عمق زمین با پریودهای بلند مدت اتفاق افتاده و در بسیاری از موارد تنها توسط سیستم تعیین موقعیت جهانی gps قابل آشکارسای می باشند. بنابراین با توجه به نقش این رویدادها در تغییر شکل زمین، ش...
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...
در سال های اخیر سلولهای خورشیدی لایه نازک cigs به دلیل بازدهی بالا و هزینه های پائین تولید در مقایسه با انواع دیگر سلول ها، بسیار مورد توجه محققین قرار گرفتهاند. به دلیل اهمیت و نقش تعیین کننده لایه cigs در بازدهی این سلول ها، در این پایان نامه به بررسی ساخت و بهینه سازی لایه فعال cigs پرداخته شده است. بدین ترتیب به منظور رشد لایه های cigs در مرحله اول پیش ماده های فلزی مس-ایندیوم-گالیوم روی ...
در میان همه فناوری های تجدید پذیر، فناوری فتوولتایی یکی از نویدبخش ترین فناوری ها می باشد. مهمترین عامل در گسترش وسیع سلول های خورشیدی، کاهش در قیمت و افزایش بازده آن می باشد. با استفاده از فناوری نانو می توان نسل جدیدی از سلول های خورشیدی را با هزینه کم و روش های ساده تولید کرد. در این پایان نامه ساختار و عملکرد سلول هایی که با فناوری نانو ساخته می شود معرفی می گردد. در میان سلول های نسل سوم ک...
میباشند خواص اپتیکی لایه های نازک دی اکسیدتیتانیوم وابستگی شدیدی به اندازه ذرات افزوده شده به آنهادارد که با ترکیبات دوپینگ شده و آثارسطحی میتواند عملکرد بهتری از خود نشان دهند. با توجه به اندازه مولکول نیکل درمقایسه با اندازه تیتانیوم و شباهت و نزدیکی آن با تیتانیوم می تواند جایگزین مناسبی برای آن درترکیب دی اکسید تیتانیوم باشد.این جایگزینی میتواند اثرات قابل توجه ای در خواص اپتیکی ایجاد کند .
در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید