نتایج جستجو برای: محیط دی الکتریک

تعداد نتایج: 91075  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم 1393

در این تحقیق، اثر پلاسمای اعمالی با گازهای کاری متفاوت بر میزان نیترات موجود در آب بررسی شده است. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه (15kv-27khz) استفاده شده است. مشاهده گردید که اعمال پلاسمای هوا در ساختار تخلیه سد دی الکتریک بر محلول پتاسیم نیترات، منجر به افزایش غلظت نیترات موجود در محلول شده در حالی که در مورد پلاسمای آرگون تولیدی در حباب با ساختار دو الکترود میله ای، تاثیری در میزان آن مشاهده...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
رضا قلی پور علی بهاری

نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (xrd) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­ال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم 1390

الکترون ها در هنگام عبور از ماده توسط ناخالصی های موجود در آن پراکنده و با افزایش ناخالصی جایگزیده می شوند. بدین ترتیب گذار فلز به عایق اتفاق می افتد. این پدیده اولین بار توسط اندرسون مطرح شد و به جایگزیدگی اندرسون معروف است. در این پایان نامه به بررسی جایگزیدگی اندرسون امواج الکترومغناطیسی پرداخته ایم. معادلات ماکسول مبنای مطالعه ما قرار گرفته و محیط را ساختاری با دی الکتریک ها با ضریب تصادفی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان 1376

میدان الکترومغناطیسی در حضور دو تیغه دی الکتریک موازی در فضای تهی، به روش تابع گرین، کوانتیزه می شود. برای سادگی محاسبات فرمولبندی به حالت یک بعدی اختصاص داده می شود. فشار تابشی خلاء روی هر وجه یک تیغه، با برگرداندن عبارت های کلاسیک به عبارت های کوانتومی نظیر محاسبه می شود. نیروی کازیمیر بر واحد سطح هر تیغه با محاسبات اختلاف فشار در دو طرف تیغه ها بدست می آید. نتیجه نهایی با کارهای قبلی، که با ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1377

در این پروژه با استفاده از تئوری الکترومغناطیس کلاسیک سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک دی الکتریک در برخورد با امواج الکترومغناطیسی بررسی شده و تغییرات این سطح مقطع برای پارامترهای اندازه مختلف بررسی شده است . همچنین میدانهای داخل کروی کوچک دی الکتریک در مواجهه با امواج تخت بررسی شده و نتایج زیر بدست آمده است . سطح مقطع پراکندگی ذرات کوچک با تغییرات پارامتر اندازه نوسان می کند. میدانهای الکتریکی داخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده فیزیک 1391

در این پایان نامه به اثر استاتیک کازیمیر بین صفحه های رسانا ناشی از حضور مواد مغناطودی الکتریک با شرایط مرزی مختلف پرداخته ایم. دو صفحه ی موازی را که به فاصله h از یکدیگر قرار دارند و یک یا چند محیط را در بر گرفته اند در نظر می گیریم، در مسأله ی اول هدف محاسبه ی نیروی عمودی برای دو محیط تک لایه و چند لایه بین صفحه های صاف است و در مسأله ی دوم به محاسبه ی نیروی عرضی بین صفحه های ناهمواری می پردا...

ژورنال: :مهندسی بیوسیستم ایران 2015
رحمت اله باقری سید احمد میره ای مرتضی صادقی امین اله معصومی شهرام موم کش

برآورد سریع و غیر مخرب رطوبت اهمیت بسزایی در مدیریت برداشت، انبار داری، فروش، و فراوری خرما دارد. در این تحقیق با روش خازن با صفحات موازی، ولتاژ متناوب سینوسی به محصول خرما اعمال و با دستگاه اسپکتروم آنالایزر پاسخ سیگنال خروجی مدار در محدودۀ فرکانسی 1 تا mhz 100 اندازه گیری گردید. از مدل های رگرسیون خطی چندمتغیره (mlr) به منظور استخراج رابطۀ بین رطوبت و مقادیر توان در فرکانس های گوناگون استفاده...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1390

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید