نانولوله‌های کربنی با استفاده از اثر کاتالیست نیکل بر سیلیسیوم، به روش پوشش‌دهی با بخار شیمیایی- حرارتی با استفاده از گاز متان در فشار اتمسفر سنتز شده‌اند. لایه نیکل به روش کندوپاش یونی بر روی نمونه سیلیسیومی نشانده شده است. در این کار پژوهشی اثر سطح اکسید سیلیسیوم بر توده‌سازی و شکل‌گیری ذرات مجرّد نیکل با استفاده از میکروسکوپ الکترونی و طیف‌سنجی رامان مطالعه شده است. نقش لایه اکسید سیلیسیوم بر...

هیدروژن، به عنوان خوراک پیل سوختی پلیمری را می توان توسط واکنش کاتالیستی ریفرمینگ متانول با بخار آب (msr) و در محدوده دمایی کمتر از °c300 تولید کرد. مزیت این واکنش کاربرد آن در سامانه های فرآورش سوخت و سامانه های تولید در محل می باشد. هدف از این پژوهش، دست یابی به میکرو ریفرمرکاتالیستی به همراه پوشش دهی کاتالیست بر روی صفحات فولادی به عنوان لایه فعال می باشد. برای لایه نشانی کاتالیست از روش الک...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

سوپرآلیاژهای پایه نیکل رسوب سخت شونده از قابلیت جوش‌پذیری پائینی برخوردار بوده و جوشکاری آنها در صنعت بازسازی قطعات داغ توربین گاز، امری چالش برانگیز می‌باشد. امروزه با بکارگیری از روش‌های نوین جوشکاری از جمله لایه نشانی با لیزر سعی شده است ضمن کاهش چالش موجود، کیفیت جوشکاری سوپرآلیاژها ارتقاء یابد. در این تحقیق نمونه‌هایی از جنس سوپر آلیاژ پایه نیکل IN738LC به کمک لیزر جامد Nd:YAG با فیلر سوپر...

با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی(dc-magnetron sputtering)، نانوذرات دولایه ایی مس-کبالت را ساختیم. روش کار به این صورت بود که ابتدا از هدف مسی، نانوذرات مس، با استفاده از گاز آرگون بر روی زیرلایه های شیشه و سیلیکن با استفاده از دستگاه لایه نشانی مغناطیسی ساختیم. سپس کبالت را در زمان های 7 و 10 دقیقه بر روی نانوذرات مس لایه نشانی کردیم. با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) به بررسی توپوگرا...

سولفید کادمیوم (cds)از نیمه هادی های ترکیبی گروه های ii-vi با گاف انرژی پهن و مستقیم ev42/2 به دلیل نقش مهمی که در قطعات اپتوالکترونیک و پیل های فوتوولتایی دارد توجه ویژه ای را به خود جلب کرده است. در این پایان نامه، لایه های نازک نانوکریستال سولفید کادمیوم با استفاده از محلول های سولفات کادمیوم، تیواوره و آمونیاک به روش لایه نشانی حمام شیمیایی (cbd)بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده اند. تأث...

لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به ...