کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...

یک دسته از قطعات اپتیکی که با بلورهای فوتونی ترکیب می¬شوند تارهای نوری (موجبرها) هستند که به چنین ساختارهایی تار بلور فوتونی می گویند. هدف در این پژوهش بررسی ویژگی های اپتیکی ساختارهای تار نوری بلور فوتونی کامل و ناقص آغشته به نانوذرات فلزی می¬باشد. می توان با ایجاد نقص در تناوب مذکور، یک حفره ایجاد کرد که این حفره باعث تشکیل مد نقص می شود. می¬توان با افزودن نانو ذرات فلزی در محل حفره به ساختار...

در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ض...

در این تحقیق بلورهای فوتونی پلیمری با ساختار تراکمی هگزاگونال تهیه و بررسی شدند .ابتدا امولسیونی تک پخشه و دارای ساختار هسته–پوسته با هسته پلی‌استایرنی شبکه‌ای و پوسته کوپلیمر بوتیل و متیل متاکریلات، سنتز شد. درصد جامد نهایی نمونه 32% و درصد تبدیل کلی واکنش پلیمریزاسیون 98% بود. سپس لاتکس به دست آمده توسط متانول منعقد، صاف و سپس خشک شد .پس از خشک شدن کامل، نمونه‌ها توسط دستگاه پرس داغ به صورت ف...

زمینه و هدف: یکی از تکنیک‌های پرتودرمانی، درمان به روش فعال‌سازی فوتونی است. در این روش، میزان انرژی آزادشده در داخل یک تومور را می‌توان با ترکیب DNA و با یک ماده‌ با عدد اتمی بالا و سپس تشدید گسیل الکترونهای اوژه درطی برخورد فوتوالکتریک توسط آن ماده افزایش‌داد. هدف از مطالعه‌ی حاضر، بررسی اثر افزایش دوز تومور ناشی از فعال‌سازی فوتونی در حضور مواد فعال‌ساز مختلف در تومور، برای چشمه‌های تالیوم-1...

امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی آنتن پچی با ساختار فشرده همراه با بهره بسیار بالا ، پهنای باند مناسب و همچنین قابلیت پلاریزاسیون دایروی مبادرت شده است. آنتن پیشنهادی به علت دارا بودن پلاریزاسیون دایروی با بهره بالا برای کاربردهای رادارهای دریایی (5570 تا 5650 مگاهرتز) که در آن‌ها تداخلات چند مسیره و انعکاس امواج از سطوح دریا مشکل‌زا است مناسب است. همچنین این آنتن به طور همزمان قابلیت استفاده ...

سابقه و هدف: در این تحقیق وابستگی فاکتور وج ناشی از به‌کارگیری یک وج داخلی به عمق، اندازه میدان و جدایی در میدان‌های متقارن در باریکه فوتونی MV6 یک دستگاه شتاب‌دهنده خطی الکتا با استفاده از روش شبیه‌سازی مونت‌کارلو مورد بررسی قرار گرفته است. این امر به منظور تعیین دقیق‌تر فاکتور وج در طرح‌های درمانی و ارائه الگوریتمی برای در نظر گرفتن سهم آن و کاهش خطای ناشی از آن در کاربردهای بالینی انجام شده ...

متامتریال ها به دلیل ویژگی های الکترومغناطیسی خاصی که دارند در بسیاری از کاربردهای مختلف الکترومغناطیسی به کار گرفته شده اند،از جمله در طراحی شیلدها، جاذب ها و ساختارهایی برای کاهش کوپلینگ بین تجهیزاتی که در کنار هم قرار گرفته اند.ساختارهای مختلفی با متامتریال ها به عنوان شیلد،جاذب و به منظور کاهش کوپلینگ ارایه شده اند که در ابتدا به آنها اشاره شده است.از ساختارهای متامتریال باند گسست الکترومغن...

یکی از موضوعاتی که در الکترومغناطیس مطرح می شود، «سازگاری الکترومغناطیسی» است که بررسی آن در مدارات الکترونیکی دارای اهمیت زیادی است. از طرفی در سال های اخیر با رشد روزافزون سیستم های مخابرات دیجیتال، و نیاز به طراحی ساختارهایی که بتوانند بستر مناسبی برای پیاده سازی این سیستم ها باشند، بررسی سازگاری الکترومغناطیسی امری اجتناب ناپذیر شده است. یکی از موانعی که برای پیاده سازی مدارات با فرکانس با...