در مقاله حاضر به منظور مطالعه عملکرد گرمایی کانال­های مربعی با ریب­های متنوع نصب شده با آرایش یک در میان و عمود بر روی دیواره­ها، یک شبیه‌سازی عددی با مدل تنش رینولدز توسعه داده شده است. شبیه‌سازی ریب­ها در سه حالت مربعی، ذوزنقه­ای و ذوزنقه با کاهش ارتفاع در جهت جریان انجام یافته و اعداد رینولدز و دوران به ترتیب برابر 25000 و 12/0 می­­باشند. شبیه‌سازی توزیع عملکرد گرمایی در یک تناوب از ریب­ها ر...

چکیده ندارد.

مدل های ?-? خطی و غیر خطی مورد استفاده، رفتار کلی ضریب انتقال حرارت بر روی دیواره های ریب دار را به خوبی پیش بینی می کنند در حالی که این مدل ها قادر به پیش بینی دقیق انتقال حرارت بر روی دیواره های صاف نمی باشند. دلیل این پدیده ممکن است این موضوع باشد که انتقال حرارت روی دیواره صاف احتمالاً تحت تاثیر جریان-های ثانویه بوده و جریان های ثانویه پیش بینی شده توسط این مدل ها نسبتاً ضعیف هستند. در حالی ک...

این رساله به طراحی تقویت کننده توان با راندمان بالا برای نسل چهارم سیستم های مخابراتی می پردازد. بدین منظور از ساختار قطبی که متشکل از یک تقویت کننده فرکانس رادیویی جهت تقویت سیگنال فاز و یک تقویت کننده پوش جهت تقویت سیگنال دامنه می باشد استفاده شده است. تقویت کننده فاز پیشنهادی بر مبنای یک تقویت کننده کلاس e است که در آن با توجه به تلفات موجود در سوئیچ و سلف ها روابط جدیدی جهت به دست آوردن ران...

لیزر بخار مس به عنوان یک لیزر گازی فشار پایین- بهره بالا، به علت دارا بودن بهره سیگنال کوچک بالا و شدت اشباع پایین می تواند یک تقویت کننده خوب توان لیزری به شمار آید. یکی از روش های افزایش شدت پرتو خروجی لیزر، استفاده از سیستم نوسانگر- تقویت کننده لیزری است که در آن به طور هم زمان از چند لیزر استفاده می شود. یکی از این لیزرها به عنوان نوسانگر اصلی و لیزر (یا لیزرهای دیگر) به عنوان تقویت کننده ت...

امروزه سازه های ساندویچی کامپوزیتی در صنایع هوا و فضا، کشتی سازی و ... ، به دلیل وزن سبک آنها و مقدار بالای نسبت سفتی بر وزن شان کاربرد وسیعی پیدا کرده اند که اکثرا" در هسته آنها موادی با وزن کم مانند هسته فومی، هسته لانه زنبوری و هسته های مشبک استفاده شده است. در این پژوهش نوعی از پانل های ساندویچی ساخته شده است که هسته آن با الیاف شیشه به صورت مشبک طراحی شده است و سپس سازه تحت تست خمش و کشش ق...

تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خراب...

امروزه نانوذرات دنیای جدیدی را پیش روی ما باز کرده اند و تقریبا در تمام بخش های زندگی ما تاثیر گذار هستند. با گذر از مقیاس میکرو به مقیاس نانو، بسیاری از خواص فیزیکی و شیمیایی دستخوش تغییر می شوند، این تغییرات ناشی از افزایش نسبت سطح به حجم و ورود اندازه ی ذره به قلمرو اثرات کوانتومی است. علاوه بر اینکه خواص نانوذرات با حالت توده ای آن تفاوت دارد، می توانند مولکول هایی را که در مجاورت خود قرار ...

تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می نماید. یکی از اجزای غیرقابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را ت...

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...